Саммит альянса Common Platform: рынок мобильной и беспроводной связи и переход на 20 нм


Common Platform - это альянс, образованный компаниями IBM, Samsung и Global Foundries для совместной разработки и производства по современным КМОП-технологиям. На прошлой неделе партнеры альянса Common Platform собрались на технологический саммит в Санта-Кларе. На утреннем заседании прозвучали выступления трех компаний этого альянса, а также состоялись презентации компаний ARM и Qualcomm.

Infineon, Freescale, STMicroelectronics и Toshiba являются участниками другого альянса – Joint Development Alliance. Три партнера Common Platform совместно с STMicro работают над «синхронизаций» своих кремниевых производств по 28-нм КМОП-процессу, пытаясь добиться того, чтобы созданные проекты, по крайней мере, теоретически, можно было реализовывать на разных производствах, разбросанных по всему миру. «Теоретически» потому, что стоимость фотошаблона нельзя не учитывать на нормах 28 нм и нет твердой уверенности в возможности его переноса с одной фабрики на другую. Совместимость в этом случае означает переносимость базы данных топологического чертежа в формате GDS-II.

Но вернемся к конференции Common Platform. Участие в ней Qualcomm – крупнейшей полупроводниковой фаблесс-компании в мире – указывает на важность для нее мобильных и беспроводных приложений, которым также уделено немалое внимание на этом саммите. Безусловно, сотовые телефоны и другие портативные устройства с возможностью подключения к интернету стали самым главным драйвером полупроводниковой отрасли.

Д-р Стефен Ву (Stephen Woo), президент отделения System LSI Division в Samsung, поделился с аудиторией данными аналитических прогнозов, согласно которым 55% сотовых телефонов к 2015 г. станут смартфонами. Сотовые телефоны в изначальном значении этого термина попросту исчезнут. Ву также сообщил, что планшетные компьютеры в скором времени заменят ноутбуки и нетбуки. Этот переход от вычислительных платформ к мобильным устройствам с малым форм-фактором приведет к снижению энергопотребления во всем мире.

Акцентировав внимание участников мероприятия на роли мобильных устройств в недалеком будущем и требованиях к низкому энергопотреблению, Ву остановился на возможностях 28-нм технологии, разрабатываемой альянсом Common Platform. Этот процесс представляет собой более компактный вариант 32-нм технологии с использованием материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов HK/MG (high-K/metal gate), которое позволит в 10 раз сократить токи утечки.

Чиа Хви, главный операционный директор Global Foundries, заявил о завершении валидации 32-нм ядер ARM Cortex A9 и о разработке тестового 28-нм кристалла. Переход на 28 нм позволит в два раза увеличить плотность размещения элементов и до 50% – производительность, а также снизить потребление. В настоящее время разрабатываются опытные образцы 4-ядерного ЦП Llano компании AMD с графическим процессором Direct-X, массовое производство которых ожидается в этом году.

Д-р Гари Пэттон (Gary Patton), вице-президент, центр исследований и разработки полупроводников, IBM, рассказал об инновациях, сопровождающих внедрение технологии 20 нм и далее. При переходе с 28 на 20 нм возникнут трудности следующего порядка: дальнейшие возможности масштабирования будут исчерпаны; возрастет стоимость разработки; потребуются новые материалы.

Рост стоимости разработки каждого нового функционального узла – главный стимул создания коалиции Common Platform. По мнению д-ра Ву, в производстве полупроводников по нормам 32/28 нм будут участвовать 7 компаний, но только 4 из них останутся на момент внедрения технологии 15 нм.

В списке кандидатов на инновационные технологии и материалы были перечислены кремниевые нанопровода, медное покрытие и однослойные затворные стеки. На мой взгляд, наиболее интересной из этих инноваций является метод вычислительного масштабирования. Если прежние производственные технологии опирались на фотолитографические методы, например, жидкостной иммерсии и интерференционного формирования изображения, в основе нормы 20 нм будет положен принцип оптимизации исходных фотошаблонов (SMO). Метод оптической коррекции близости (OPC) применяется, начиная со 130 нм. OPC алгоритмически позволяет изменить физические параметры фотошаблона для компенсации ограниченного разрешения источников света, используемых в изготовлении кремниевых пластин. Метод SMO позволяет оптимизировать как топологию шаблона, так и процесс экспонирования. При этом изображение контролируется попиксельно с помощью массива зеркал, разработанного IBM за два года совместного партнерства с компаниями ASML, Zeiss и Mentor Graphics.

Д-р Пэттон представил вниманию участников конференции график реализации новых технологий:

1. 2010 г. – 28 нм.

2. 2012 г. – 20 нм; с использованием SMO.

3. 2014 г. – 14 нм; с использованием метода двойной экспозиции и перехода к EUV-литографии.

4. 2016 г. – 11 нм; с использованием EUV-литографии.

Наиболее противоречивым в разработке 20-нм процесса станет переход альянса Common Platform на технологию формированию затвора транзистора после температурной обработки кремниевой пластины (gate-last). Во всех нормах до 28 нм применялась технология gate-first. Д-р Пэттон объяснил этот переход теми соображениями, что на 20 нм действуют другие требования, чем на 28 нм, и перечислил вопросы, которые рассматривались в процессе принятия этого решения.

Подводя итоги, можно сказать, что все технологические ухищрения направлены на то, чтобы снизить энергопотребление до минимума. Это самое главное требование при создании мобильных устройств, которое необходимо выполнить даже ценой их стоимости и производительности.

Майк Мюллер (Mike Muller), главный инженер, ARM, назвал свою презентацию «От миллиметров – к километрам», в которой представил будущее глобальных вычислений. Он также обратил внимание собравшихся на ряд странных предсказаний в отношении будущей мобильной связи, которые сделал некто Осборн (H. Osborne) из компании AT&T еще в 1956 г. Интересно, что многие из них сбылись, в т.ч. и следующие.

1. Каждый ребенок при рождении получит свой телефонный номер. (Пусть это предсказание не совсем точное, но теперь у многих детей есть мобильные телефоны).

2. Использование мелодий для мобильников.

3. Повсеместное распространение электронных устройств.

4. Автоматический набор номера (активация голосом?).

5. Возможность подключения к глобальной сети.

6. Появление видеофонов.

В своей докладе Мюллер рассказал о следующей волне компьютеризации под названием «интернет вещей», которая приведет к широкому распространению датчиковых сетей, включая их интеграцию в человеческое тело.

Так например, он продемонстрировал датчик давления объемом 1 куб.мм, состоящий из 3D-кристалла с двумя солнечными элементами, литиево-ионную батареею, а также процессор ARM Cortex-M3 с ультранизким потреблением. В состав имплантируемого устройства входит солнечный элемент, антенна, ЦП и блок цифровой логики с батареей и датчиком давления для записи данных об изменении давления пациентов, страдающих глаукомой.

В качестве другого примера Мюллер рассказал о возможности создания беспроводной датчиковой сети с использованием процессора 65-нм Cortex M0. Назначение сети – сбор данных о землетрясении с помощью прикрепленных к зданиям датчиков.

Дэвид Стил (David Steel), вице-президент отдела стратегического планирования и корпоративной связи, Samsung Electronics, выступил с докладом «Интеллектуальные устройства с возможностью подключения к интернету», в котором рассказал о том, что суперфоны (название телефона Nexus-1, разработанного компанией Google) станут той соединительной тканью, которая свяжет все остальные устройства и сервисы. По его мнению, 39% сотовых телефонов к 2014 г. станут смартфонами, доля рынка которых в США составит ¾.

Изменение вычислительной парадигмы связано с ростом возможностей подключения, в т.ч. подписки, распространения сетей WiFi и 3G/4G. В этой связи докладчик сделал ряд выводов в отношении скорейшего перехода к интеллектуальным ТВ с выходом в интернет, которые можно рассматривать как попытку выдать желаемое за действительное.

В заключение утреннего заседания (которое по своему содержанию больше оказалось схожим с мероприятиями выставки CTIA Wireless, чем с конференцией о технологиях производства полупроводников) д-р Джим Томпсон (Jim Thompson), старший вице-президент инженерного отдела Qualcomm, выступил с докладом о росте рынка смартфонов, доля которых в 2009 г. составляла менее 15%, а в 2014 г. она превысит 45%. В настоящее время мобильные устройства являются фактором роста полупроводниковой отрасли, причем более 45% всей полупроводниковой продукции потребляется сотовыми аппаратами. Таким образом, сегмент смартфонов теснит рынок компьютерных приложений.

В настоящее время Qualcomm разрабатывает многорежимный кристалл под технологию LTE и намеревается выпустить первое устройство, поддерживающее не только сеть четвертого поколения, но и сети WCDMA и CDMA2000. Это очень интересная разработка, особенно если учесть, что, по слухам, этот многорежимный кристалл будет использоваться в айфонах следующего поколения.

Д-р Томпсон также рассказал о преимуществах интеграции процессора канала прямой передачи и процессора приложений в одном кристалле небольшой площади при меньшей стоимости этого компонента, а также всей системы. Новая СнК Qualcomm MSM8960, которая поступит в продажу 1,5 года спустя после заявленной даты, является первым 28-нм устройством компании. Новинка предназначена для использования в смартфонах класса high-end. Кристалл имеет два ядра с новой архитектурой, интегрированный модем с поддержкой всех 3G-режимов и LTE-сетей, модули WLAN, Bluetooth и GPS. По сравнению с предшественником, новинка отличается в пять раз более высокой производительностью, 4-кратным приростом быстродействия графической подсистемы, а также на 75% более низким энергопотреблением.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *