Рынок силовых полупроводников на базе SiC и GaN в 2021 году превысит $1 млрд


По прогнозам аналитической компании Omdia, в 2021 году рынок силовых полупроводников на основе SiC (карбида кремния) и GaN (нитрида галлия) превысит $1 млрд, что обусловлено спросом на электромобили, блоки питания и фотоэлектрические преобразователи. Это означает, что блоки питания и преобразователи станут компактнее и легче, что обеспечит более длительный пробег как электромобилям, так и электронике.

По итогам текущего года, как прогнозируют в Omdia, рынок SiC- и GaN-элементов подорожает до $854 млн. Для сравнения, в 2018 году рынок «некремниевых» силовых полупроводников стоил $571 млн. Тем самым за три года произойдёт почти двукратное увеличение стоимости рынка, что говорит о крайней потребности в данных компонентах.

Силовые полупроводники на основе карбида кремния и нитрида галлия позволяют выпускать диоды, транзисторы и микросхемы для блоков питания и преобразователей с высочайшим значением КПД для токов в широких пределах. Для увеличения дальности пробега электромобиля или для увеличения времени автономной работы смартфона нужны не только современные и ёмкие аккумуляторы, но также полупроводники, которые не теряют энергию на переходных процессах и на промежуточных цепях.

Ожидается, что до конца десятилетия выручка производителей SiC- и GaN-элементов каждый год будет увеличиваться на двухзначную величину, достигнув в 2029 году отметки на уровне $5 млрд.

Ранее IHS прогнозировла, что к 2020 г. рыночная доля светодиодов GaN-на-кремнии увеличится до 40%.

Ссылки по теме

Renesas Electronics новыми чипами на GaN укрепила свои позиции на рынке космической электроники

В России начато производство GaN-транзисторов для сетей связи 5G

«Росэлектроника» создала уникальный твердотельный СВЧ-усилитель мощности на GaN-чипах

GaN Systems сообщила о 10-кратном росте производства изделий на основе GaN на тайваньской фаундри TSMC

Драйверами п/п-рынка беспроводных устройств служат LTE и GaN

Алмазный теплоотвод для РЧ-кристаллов GaN-на-SiC

Новые инвестиции в технологию для силовых устройств SiC-на-кремнии

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *