Рынок DRAM восстанавливается


Аналитики IHS считают, что темпы роста рынка DRAM-памяти увеличатся на 3% в этом году, а его объем достигнет 30 млрд долл.

В дальнейшем рынок будет расти, и его объем составит 40 млрд долл. в 2016 г.

Ожидается, что банкротство Elpida Memory в немалой мере будет способствовать частичному восстановлению рынка DRAM-памяти. Переговоры с Elpida о приобретении ее активов ведет Micron Technology. Хотя Micron и обещает сохранить, по меньшей мере, одну фабрику Elpida, многие ожидают закрытия всех предприятий этой компании или их переоборудования для производства флэш-памяти NAND.

Несмотря на отсутствие полной ясности относительно судьбы Elpida и того, как распорядятся ее активами, аналитики предсказывают рост рынка DRAM за счет изменения баланса поставок. Основными факторами, определяющими развитие этого рынка, в настоящее время являются сегменты ноутбуков, смартфонов и планшетов.

Средний объем DRAM-памяти в смартфонах в этом году достигнет 5,1 Гбит, тогда как в прошлом году он составил 3,5 Гбит, а в 2010 г. – 2,3 Гбит. Сложный годовой темп роста (CAGR) рынка DRAM-памяти для смартфонов за период 2011–2016 гг. составит 65%.

Ожидается, что средний объем DRAM-памяти в планшетах превысит 8 Гбит (3,5 Гбит в прошлом году и 2,3 Гбит – в 2010 г.). Показатель CAGR рынка DRAM-памяти для планшетов за период 2011–2016 гг. составит 95%.

Прогноз развития мирового рынка DRAM-памяти. Источник: IHS iSupply, май 2012 г.

На рост доходов рынка DRAM немалое влияние окажут и продажи ультрабуков, в которых установлена память LPDDR3. По данным IHS, на долю этих устройств в 2014 г. придется около 19% всего рынка DRAM-памяти.

Источник: IHS iSuppli

Читайте также:
Elpida выпускает первые образцы 25-нм DRAM-памяти
Договорные цены на DRAM-память: мартовские гонки
Неспокойные рынки DRAM- и флэш-памяти NAND
Не получив финансовой помощи, Elpida заявила о банкротстве
Micron подтверждает слухи о переговорах с Elpida/
Samsung увеличивает отрыв от конкурентов на рынке мобильной памяти DRAM

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *