Рынок 3D ИС растет в среднем на 18% за год


По данным аналитической компании Transparency Market Research (США), мировой рынок 3D ИС в 2019 г. может вырасти до 7,52 млрд долл. с 2,40 млрд в 2012 г., а совокупный среднегодовой темп роста составит 18,1%.

Рынок 3D ИС включает в себя МЭМС и датчики, радиочастотные модули, оптоэлектронику и светочувствительные матрицы, память, сверхъяркие светодиоды, логику и гибридные устройства логики и памяти.

«Среди этой продукции – МЭМС и датчики, однокорпусные системы (SiP), чипы логики и надстроенной памяти, в 2012 г. – занимали 67,6% доходов рынка», – оценивает Transparency Market Research. Широкое применение памяти NAND и DRAM, светочувствительных матриц и МЭМС в пользовательской электронике означает, что вклад этих категорий в рынок 3D ИС в прогнозируемом периоде вырастет.

Дизайн 3D-чипа

От 3D-интеграции выигрывает широкий круг сегментов продукции для конечных пользователей, включая информационные и телекоммуникационные технологии, пользовательскую и автомобильную электронику, электронику для аэрокосмической отрасли, военной техники и биомедицины. В 2012 г. ведущим сегментом были информационные технологи и телекоммуникации, которые заняли 24,2% доходов.

По данным Transparency Market Research, лидерами рынка стали Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Xilinx Inc. и Samsung Electronics Co. Ltd., которые в 2012 г. вместе заняли 55% рынка, а первое место заняла TSMC.

Доля доходов Азиатско-Тихоокеанского региона на рынке 3D ИС в 2012 г. составила 40,7%, и она также возрастет за прогнозируемый период.

Читайте также:
Qualcomm оценивает 3D-технологию производства чипов от Leti: это не TSV
SK Hynix покупает лицензию BeSang на 3D ИС
Китайская SMIC откликается на взлет рынка 3D ИС
Xilinx и TSMC начали серийное производство 28-нм 3D ИС
IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти
Компания AMS строит в Австрии линию по производству 3D ИС за 25 млн евро
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
TSMC запланировала «системные 3-D-суперчипы», 5-нм технологию и «чип-мозг» на 2 нм
Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм

Источник: EE Times Europe

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *