Революционный FinFET от IMEC на полупроводниках III-V для 7 нм

IMEC создал FinFET-транзисторы на основе элементов III-V групп на 300-мм кремниевых подложках с использованием арсенида индия-галлия и фосфида индия. IMEC сообщает, что эта технология будет впервые применена на 7-нм техпроцессе.

Межуниверситетский центр микроэлектроники в Бельгии (IMEC) сообщил о том, что он впервые демонстрирует FinFET устройства на сложных полупроводниках из элементов III-V групп, интегрированные эпитаксиально на 300-мм кремниевые подложки, с помощью уникального процесса замещения кремниевого ребра транзистора. Это достижение позволяет не только продолжить миниатюризацию КМОП до 7 нм и меньше, но и создавать гетерогенные КМОП-радиочастотные и КМОП-оптоэлектронные системы. Партнерами IMEC по этому проекту являются TSMC, Intel, Samsung, Sony, Qualcomm и Toshiba.

Структура и характеристики нового транзистора

«Насколько нам известно, это первое в мире работающее FinFET-устройство с элементами III-V групп, совместимое с КМОП и изготовленное на 300-мм пластинах, – заявила Эн Стиген (An Steegen), старший вице-президент IMEC по КМОП-технологиям. – Это захватывающее достижение, демонстрирующее технологию в качестве новой жизнеспособной альтернативы для существующей развитой технологии кремниевых FinFET в массовом производстве».

Эн Стиген (An Steegen), старший вице-президент IMEC по КМОП-технологиям

Технология IMEC избирательно заменяет кремниевые ребра FinFET-транзисторов на арсенид индия-галлия (InGaAs) и фосфид индия (InP), хорошо согласующиеся с 8%-ным несовпадением атомарных решеток. Новый метод основан на улавливании соразмерных дефектов кристаллической решетки, структуре канавок и инновациях в эпитаксиальном процессе. В результате, вещества III-V групп, интегрированные в кремниевом FinFET-устройстве, показывают отличные технические характеристики.

Директор по исследования и разработке логических устройств в IMEC Аарон Теан (Aaron Thean) заявил: «За последнее десятилетие, миниатюризация транзисторов прошла несколько скачков в технологии производства, обеспечивающих быстродействие и экономичность. Замена поликремниевого затвора структурой HKMG (подзатворный изолятор с высокой диэлектрической проницаемостью и металлический затвор) в 45-нм техпроцессе в 2007 г. означала поворот к интеграции новых материалов в транзистор. Возможность комбинировать миниатюрные некремниевые и кремниевые устройства может стать следующей серьезной модернизацией транзисторов, ломающей почти 50-летнее господство кремния в цифровых КМОП-устройствах».

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзывОтмена