ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики


Возможность встраивать резистивную память RAM (ReRAM) в стандартную технологию изготовления логики может использоваться в проектировании будущих систем-на-кристалле. Понимая это, TSMC пытается освоить перспективную технологию.

Один из наиболее интригующих докладов из того списка выступлений, которые состоятся в декабре в рамках программы мероприятия International Electron Devices Meeting – 2012, представлен коллективом исследователей из Национального университета Цинхуа (Тайвань), являющегося филиалом TSMC.

В аннотации доклада утверждается возможность создания контактных ячеек памяти типа RRAM (CRRAM) с использованием 28-нм логического КМОП-процесса HKMG без помощи масок или дополнительных технологических операций.
Известно, что коллектив исследователей из этого университета прежде работал с памятью ReRAM на основе оксида титана (TiN/TiON/SiO2), нанесенного на вольфрамовый контакт стока планарного MOSFET-ключа.

Разрабатываемое устройство намного миниатюрнее по сравнению с другими типами массивов ReRAM и совместимо со стандартными процессами производства логики. В 2010 г. этой группе исследователей удалось реализовать процесс 1T-plus-1R ReRAM, создав 90-нм КМОП-логику, которая обеспечивает 1 млн операций чтения/записи.  

В силу увеличения объема памяти системных кристаллов их энергопотребление растет. Способность удерживать данные в энергонезависимой памяти с высокой плотностью на СнК, а не в SRAM с большим энергопотреблением в течение даже нескольких тактов процессора может существенно повысить энергоэффективность систем.

Поскольку память CRRAM не повышает нагрузку на процессор, она допускает достаточно простую реализацию в производстве полупроводников. Однако то обстоятельство, что доклад на данную тему носит академический характер и описывает задачу на уровне ячеек памяти, а не массива, говорит о том, что разработка этих запоминающих устройств еще далека от завершения.

Источник: EE Times

Читайте также:
IBM и ST возвращаются к логике на реле взамен транзисторной
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3
И снова — шумный спор о мемристорах
Sematech сотрудничает с начинающей компанией в создании RRAM

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *