Корейцы разработали полупроводниковый нейрон, настраивающий шум для избирательной обработки сигналов

В электронных устройствах нерегулярные колебания сигналов обычно называют «шумом». Поскольку шум мешает точной обработке информации, в традиционных полупроводниковых технологиях его стараются уменьшить или устранить. Однако нейроны в человеческом мозге не всегда реагируют одинаково, даже на один и тот же стимул. Крошечные внутренние изменения в нейронах влияют на то, когда и как часто они возбуждаются, и эта вероятностная операция является одной из ключевых функций мозга по обработке информации. Исследователи KAIST разработали полупроводниковую технологию следующего поколения, которая не устраняет текущий шум, генерируемый в мемристорах, а вместо этого настраивает его на желаемый уровень и использует для обработки различных типов сигналов.

https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

BBCube: новая технология «чип на пластине» для интеграции чипов искусственного интеллекта следующего поколения

Новая платформа для интеграции полупроводников, разработанная в Токийском научном институте, сочетает в себе усовершенствованную компоновку чипов с межсоединениями высокой плотности и улучшенную систему терморегулирования. Такое сочетание трех взаимодополняющих технологий помогает решить ключевые проблемы, связанные с созданием высокопроизводительного оборудования для искусственного интеллекта. Благодаря более точному расположению чипов, более быстрой передаче данных и эффективному охлаждению эта технология открывает путь к созданию более мощных и энергоэффективных ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных систем.

Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения

Для создания полупроводников нового поколения и электронных устройств с низким энергопотреблением необходимо точно укладывать друг на друга материалы с разными функциями. В этом процессе важно сохранить внутренние свойства каждого материала, а также границу раздела между двумя материалами без повреждений. Слоистые ван-дер-ваальсовы материалы, в том числе дихалькогениды переходных металлов (ДПМ), привлекают большое внимание как полупроводниковые платформы следующего поколения, поскольку их слои взаимодействуют за счет слабых сил, что позволяет создавать многослойные структуры из различных материалов, сохраняя атомарную чистоту границ.