Разработана архитектура ячейки SRAM на одном транзисторе


На прошлой неделе на конференции International Electron Devices Meeting 2015 молодая компания Zeno Semiconductor представила биполярный NMOS-транзистор, который может работать подобно двухтранзисторной ячейке SRAM.

В настоящий момент одна ячейка статической памяти типа SRAM обычно состоит из 6 транзисторов (используются также модификации с ячейкой от 4 до 8 транзисторов). Это необходимо для того, чтобы сохранить производительность и избежать потери данных от помех или от внешнего воздействия (свет, тепло, радиация и так далее). Подобное строение памяти неизбежно ведёт к пожиранию массивом SRAM и так дефицитного места на кристалле процессора. Как вариант предложена однотранзисторная псевдо-SRAM на основе логики работы и строения ячейки DRAM. Подобную конструкцию, если мы не ошибаемся, использует компания Apple в процессорах Ax. Но это всё не то. «Чистая» однотранзисторная SRAM была невозможна. Была…

Архитектура транзистора Zeno Semiconductor для 1T-ячейки SRAM

На прошлой неделе на конференции International Electron Devices Meeting 2015 молодая компания Zeno Semiconductor представила биполярный NMOS-транзистор, который при ближайшем рассмотрении оказался составлен из структур двух транзисторов с открытой базой. Получился этакий виртуальный транзистор с возможностью работать подобно двухтранзисторной ячейке SRAM. Разработчик предлагает создавать из подобных транзисторов энергоэффективные однотранзисторные ячейки SRAM и производительные двухтранзисторные. В обоих случаях площадь ячейки SRAM Zeno окажется в разы меньше площади классической 6T-SRAM. Это экономия места и энергопотребления, включая выигрыш на снижении утечек.

Характеристики 1T и 2T ячеек SRAM на транзисторе Zeno

Сообщается, что площадь ячейки SRAM Zeno в 28-нм техпроцессе равна 0,025 кв. мкм. Типичная 6T-SRAM в данном техпроцессе занимает 0,127 кв. мкм. Интересно отметить, что новая ячейка даже меньше 10-нм FinFET SRAM Samsung с площадью 0,040 кв. мкм. Также разработчики сообщают, что надёжность инновационной однотранзисторной ячейки окажется не хуже показателя SEU (Single Event Upsets) для 6T-SRAM. Точных измерений пока нет, но на это намекает резкое снижение площади ячейки, а значит, относительное воздействие паразитных факторов в целом будет ослаблено. Добавим, компания Zeno обещает лицензировать разработку по «разумной» цене. Ждём последователей.

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *