Qualcomm и Samsung объявили о сотрудничестве в области технологии 10-нм техпроцесса


Данный техпроцесс будет использован для производства нового мобильного процессора Snapdragon 835.

Корпорация Qualcomm объявила, что ее дочерняя компания Qualcomm Technologies и компания Samsung Electronics родлили своё десятилетнее сотрудничество в области производства интегральных схем для изготовления новых премиальных процессоров Qualcomm Snapdragon 835, оснащенных технологией Samsung FinFET 10-нанометрового технологического процесса.

Решение об использовании передовой технологии 10-нм техпроцесса от Samsung в следующем поколении премиум-процессоров от Qualcomm подчеркивает неизменную нацеленность компании на технологическое лидерство в сфере мобильных платформ.

«Мы рады продолжить сотрудничество с Samsung в разработке продуктов, которые продвигают мобильную индустрию вперед», сказал Кейт Крессин (Keith Kressin), старший вице-президент Qualcomm по управлению продукцией, — «Использование новой технологии 10-нанометрового технологического процесса позволит повысить энергоэффективность и увеличить производительность нашего премиального процессора Snapdragon 835, а также добавить ряд новых возможностей, которые смогут сделать  пользовательский опыт использования мобильных устройств еще более совершенным».

В октябре компания Samsung анонсировала первое в отрасли массовое производство на базе FinFET технологии 10-нм технологического процесса. По сравнению с предшествующей технологией 14-нм техпроцесса, новая 10-нм технология Samsung позволяет до 30% увеличить коэффициент эффективной площади с приростом производительности на 27% и сокращением расхода энергии до 40%. Благодаря использованию технологии 10-нм техпроцесса,  процессор Snapdragon 835 будет состоять из меньших по размеру компонентов, давая производителям больше доступного полезного пространства внутри будущих устройств, которое может быть использовано для интеграции аккумуляторов больших объемов, а также позволит сделать мобильное устройство еще более компактным. Усовершенствование технологического процесса в сочетании с более продвинутым дизайном чипов позволит мобильному устройству еще дольше держать заряд батареи.

«Мы рады нашему тесному сотрудничеству с Qualcomm Technologies в рамках  производства процессора Snapdragon 835, используя нашу FinFET технологию 10-нанометрового технологического процесса», сказал Чжон Сик Юн (Jong Shik Yoon), исполнительный вице-президент и директор по производству технологического оборудования, Samsung, — «Это сотрудничество является важной вехой для нашего бизнеса по производству интегральных схем, и подтверждает лидерство Samsung в сфере производства чипов».

В данный момент процессор Snapdragon 835 уже находится в производстве. Поставки коммерческих девайсов на его базе начнутся в первой половине 2017 года. Новый Snapdragon 835 следующий за процессором Snapdragon 820/21, на базе которого уже произведено более 200 различных дизайнов устройств.

Источник: пресс-релиз

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *