Ученым из Института нанотехнологий при Университете г. Твенте (Нидерланды) совместно с FOM Foundation (Дания) удалось перенести спиновое состояние электронов в полупроводник. Впервые это было достигнуто при комнатной температуре.
До недавнего времени обмен информацией между магнитным материалом и полупроводником был возможен только при очень низких температурах. Успешная демонстрация информационного обмена при комнатной температуре является значительным шагом в развитии альтернативной парадигмы для электроники. Основное преимущество этой новой спинтронной технологии состоит в снижении энергопотребления.
Чтобы достичь эффективного обмена информацией, исследователи поместили тонкий слой (менее 1 нм) окисла алюминия между магнитным материалом и полупроводником. В данном эксперименте толщина и качество материала являются ключевыми факторами. Информация переносилась посредством электрического тока, протекающего через пластинку окисла алюминия.
Важно, что данная методика применима к кремнию – самому распространенному материалу в полупроводниковой индустрии. Ученые обнаружили, что спиновая информация может проникать в кремний на глубину до нескольких сотен нанометров. Этого достаточно для работы спинтронных компонентов. Следующим шагом планируется построить новые электронные компоненты и цепи и использовать их для обработки спиновой информации.