https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта Часть 9. Внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4

В ЭК №№2–9 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения, описано обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, представлены результаты проведенных исследований по поиску дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов, эффективность которого подтверждена экспериментальными исследованиями. Кроме того, описана новая технология поиска дефектов на основе многоракурсной структуры. Эксперименты на изделиях микроэлектроники показали универсальность и надежность разработанной технологии, описан поиск дефектов методом гомографии. Эксперименты подтвердили его высокую точность и эффективность в обнаружении дефектов на корпусах интегральных микросхем. В этой части статьи описано внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4 (планарных), выводы которых расположены параллельно плоскости основания и выходят за границы проекции тела микросхемы. Перед ее монтажом выводы формируются, чтобы обеспечить плотное прилегание их к плоскости контактных площадок.

Российскому оборудованию для производства чипов усложняют жизнь

Как выяснил CNews, Минпромторг рассчитал баллы, необходимые производителем оборудования для создания чипов для того, чтобы считаться российскими. Соответствующий проект постановления Правительства был опубликован на портале нормативных правовых актов в ноябре 2025 г.

Речь идет об изменениях в постановление Правительства от 17 июля 2015 г. № 719 «О подтверждении производства российской промышленной продукции». В реестр будут включены оборудование для ...

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития

Мировой рынок широкозонных полупроводников (ШЗП) демонстрирует высокие темпы роста и перспективы. В ближайшие годы карбид кремния и нитрид галлия как представители ШЗП начнут конкурировать между собой за применение в автомобильном секторе и центрах обработки данных (ЦОД), став основными катализаторами роста рынка для нитрида галлия. Китай интенсивно осваивает и развивает этот рынок, создает жесткую ценовую конкуренцию не только по продукции на основе ШЗП, но и в сферах их применения, в том числе в электромобилях. Резкое снижение мировых цен китайскими компаниями приводит к банкротству компании Wolfspeed – мирового лидера производства SiC-изделий, уходу компании TSMC с рынка контрактного GaN-фаундри-бизнеса, а Renesas – к отказу от развития SiC-технологии.

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта. Часть 8. Автоматизированный визуальный контроль качества изделий микроэлектроники с использованием метода гомографии

В ЭК №№2–7 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, и рассмотрены методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения, описано обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, проведены исследования поиска дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов, эффективность которого подтверждена экспериментальными исследованиями. В этой части статьи описан поиск дефектов с помощью метода гомографии. Эксперименты подтвердили его высокую точность и эффективность в обнаружении дефектов на корпусах интегральных микросхем.