Аналитическая компания IC Insights опубликовала наглядную компиляцию на тему темпов освоения новых технологических процессов ведущими производителями компьютерной памяти NAND-флеш и DRAM.
Представленная информация уже была ранее обнародована в том или ином виде, однако теперь она собрана на общем графике с единой временной шкалой, благодаря чему можно оценить успехи отдельных компаний. Дополнительная ценность компиляции IC Insights в том, что компания Samsung с какого-то момента стала скрывать информацию о нормах техпроцесса, вводимых ею для производства памяти, ссылаясь на несколько туманное определение «класс».
 |
Итак, на данный момент все производители смогли наладить выпуск NAND-флеш микросхем с технормами менее 20 нм и производство DRAM-памяти по технормам менее 30 нм. Похожая ситуация, но уже на новом уровне, ожидается аналитиками примерно через 2,5–3 года, когда нормы техпроцесса по выпуску NAND-памяти «в среднем» снизятся до 12–10 нм, а техпроцессы по производству памяти типа DRAM минуют планку в 20 нм. Стоит отметить, что в данном контексте 12–10 нм не следует воспринимать буквально. Точные цифры будущих техпроцессов сегодня вряд ли кто-то назовет. В итоге все будет определять ситуация на рынке, а также игры конкурентов.
В этом году в производстве NAND-флеш массовым стал выпуск 15-нм и 16-нм чипов. Компания Samsung, как видно на графике, несколько притормозила с переходом на более тонкие технормы 2D-чипов, но при этом она самой первой смогла наладить массовое производство многослойных 3D-микросхем. В мае текущего года Samsung начала массовый выпуск 32-слойной памяти 3D V-NAND. Производство 24-слойных чипов, которое началось ровно год назад — в августе 2013 г., было достаточно ограниченным. По графику освоения 3D NAND следом за Samsung продвигаются компании SK Hynix, Micron, а также Toshiba.
Особенных сюрпризов с чипами оперативной памяти нет. Данная память также должна в перспективе стать «вертикальной». Но при этом плотность компоновки здесь будет уже другая. В столбик будут собираться не слои, а кристаллы, однако достаточно плотной группой с применением сквозных соединений. Это т.н. память Hybrid Memory Cube, производство которой начала компания Micron, а в общем случае речь идет о память High Bandwidth Memory (HBM DRAM), опытное производство которой начала SK Hynix. На графике, впрочем, этот момент не отражается.
Читайте также:
Начат выпуск трехбитовой вертикальной NAND-флеш памяти Samsung
Samsung выпустит память 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой
Samsung начала выпуск 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND
В Китае запущен новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти NAND
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
DRAMeXchange: мировой объем продукции DRAM растет пятый квартал подряд
В 2014 г. основной продукцией на рынке памяти станет мобильная DRAM
Продажи мобильной DRAM в третьем квартале выросли на 14% до 3,3 млрд долл.
IHS: рынок DRAM приспосабливается к послекомпьютерной эре, прибыли поднялись до 11-квартального рекорда
Цены на DRAM вырастут на 40% в 2013 г.
IC Insights: цены на DRAM будут расти
Источник: EE Times