В последнем номере журнала Science опубликована статья, в которой описаны результаты работ ученых из Иллинойского университета по созданию так называемых [[«гибких» кремниевых полупроводниковых схем]].
Исследователями была предложена технология, которая позволяет создавать на силиконовом основании отдельные кремниевые полупроводниковые элементы. Процесс состоит из четырех основных этапов:
1. На жесткое основание с помощью адгезива крепится лист пластика.
2. На поверхности пластика с помощью стандартного процесса создаются кремниевые схемы.
3. Адгезив растворяется и лист пластика с микросхемами снимается с основания.
4. Лист с микросхемами крепится на предварительно растянутое основание из силикона, в результате чего получают гибкие кремниевые чипы.
Используя разработанную технологию, исследователи смогли впервые изготовить и продемонстрировать гибкие транзисторы.
Ученые считают, что таким способом можно изготавливать и сложные кремниевые кристаллы, которые можно будет деформировать в различных направлениях. Толщина таких схем не превышают 0.5 мкм, что в сотни раз меньше по сравнению со стандартными кремневыми приборами.
По мнению разработчиков, «гибкие» микросхемы могут найти применение в устройствах персонального мониторинга и диагностики, при создании различных имплантантов. Приборы смогут также использоваться в различных промышленных приложениях, например в авиации.