Полупроводниковая микроэлектроника – 2021 г.
Часть 2. SIC и GAN – основа новой силовой электроники настоящего и будущего

Трансформация мирового автомобильного рынка с увеличением производства автомобилей с электрическим приводом в последние годы создала невероятный запрос на развитие в мире электронных компонентов на основе SiC- и GaN-полупроводников с широкой запрещенной зоной, без которых невозможно представить электронику современных и будущих гибридных автомобилей и электромобилей, систем связи, мобильных устройств и космической техники. Этот спрос привел к резкому росту инвестиций в разработку и освоение новых технологий для SiC- и GaN-пластин большего диаметра, чтобы сократить себестоимость производства электронных изделий и продолжить вытеснение классических кремниевых компонентов. А что происходит в России?