Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодов


Plessey Semiconductors приобрела компанию CamGaN, получившую известность за создание технологии GaN-на-кремнии.

Проприетарная технология CamGaN позволит компании Plessey коммерциализировать производство мощных GaN-светодиодов на 6-дюймовых кремниевых подложках. Это приобретение, как следует из заявления Plessey, поставит ее в ряд первых компаний, которым удастся успешно освоить коммерческое производство мощных светодиодов по стандарту 6-дюймовых подложек.

Plessey рассчитывает на то, что стоимость светодиодов, изготовленных на основе материала GaN-on-Si, окажется на 80% ниже по сравнению со светодиодами, выращенными на карбидокремниевых или сапфировых подложках. Такая экономия затрат становится возможной за счет испытанного на практике технологического процесса, обеспечивающего меньший процент брака, минимального времени обработки и автоматизированного оборудования.

Plessey будет производить в этом году мощные светодиоды с эффективностью 150 лм/Вт. По словам Джона Эллиса (John Ellis), главного инженера Plessey, самой большой технологической проблемой, которая препятствует коммерциализации мощных светодиодов, выращенных на больших кремниевых подложках, является несоответствие между решетками GaN и кремния. Полученный технологический процесс GaN-на-кремнии позволяет преодолеть это препятствие.

Компанией CamGaN, аффилированной с центром Cambridge Center for Gallium Nitride, руководит Колин Хэмфри (Colin Humphreys). CamGaN уже более 10 лет работает в области прикладных исследований технологии GaN, в которые были инвестированы 16 млн долл.

Помимо CamGaN над применением технологий GaN в других приложениях работают еще две начинающие компании. Стартап EpiGaN отделился от межуниверситетского научно-исследовательского института Microelectronics Center. Эта компания осваивает технологию GaN-на-кремнии с использованием 6- и 8-дюймовых пластин для производства силовых полупроводников.

Компания Transphorm, запустившая производство силовых ИС на основе 6-дюймовых пластин, собирается перейти на 8-дюймовые пластины в ближайшие 2–5 лет.

Источник: EETimes

Читайте также:
Стандарт для силовых преобразователей задает направление развития поставщикам и OEM-производителям
Силовые транзисторы на базе GaN: новая платформа для преобразователей напряжения
Analog Devices: новые компоненты для цепей питания
Специфика прменения IGBT-транзисторов в различных приложениях
Компания On Semiconductor: откуда, куда, зачем

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *