Первая в отрасли флэш-память NAND по норме 20 нм

Представители компаний Intel и Micron, получившие приз “Semiconductor of the Year” за создание 20-нм флэш-памяти NAND на многобитовых ячейках, рассказали о том, как им удалось разработать это поистине революционное устройство.

«Пока существует ненасытная жажда на запоминающие устройства, мы всегда будем опережать закон Мура», — заявил Рамин Годси (Ramin Ghodsi), старший директор отдела NAND, Micron Technology, на мероприятии Insight Awards — 10-й ежегодной церемонии вручения награды представителям компаний Intel и Micron за совместный проект по созданию 20-нм флэш-памяти NAND.
Флэш-память NAND большой емкости с многоуровневыми ячейками (MLC), изготовленная по 20-нм техпроцессу, уже находится в серийном производстве и скоро будет использоваться в твердотельных дисках, смартфонах, планшетах, компьютерах, устройствах для чтения книг и других устройствах.

Флэш-память, разработанная Micron и Intel и изготавливаемая на их совместном предприятии IM Flash Technologies, стала первым 20-нм устройством, в котором к тому же вместо диоксида кремния в качестве материала изолирующего слоя затвора используется диэлектрик с высокой проницаемостью, что уменьшает ток утечки и энергопотребление.

На церемонии вручения приза за совместный проект разработки 20-нм флэш-памяти NAND

По словам Глена Хока (Glen Hawk), вице-президента отдела NAND, Micron, дальнейшее масштабирование разработанного 20-нм техпроцесса будет выполняться на основе инновационной технологии HKMG ячеечной структуры.

По словам Годси, масштабирование планарной структуры ячеек памяти, позволяющее разместить большее число элементов на меньшей площади и применяемое компанией Micron, намного проще того, что предлагают многие конкурирующие фирмы, которые используют другую организацию структуры этих ячеек. Кроме того, Годси считает, что при масштабировании 20-нм памяти также удастся опережать действие закона Мура, чему будет способствовать применение инновационной технологии. По его мнению, успешная реализация этой технологии стала возможной лишь благодаря сотрудничеству между Intel и Micron, равному которому нет в отрасли.

По словам Роба Крука (Rob Crooke), вице-президента и генерального директора отдела Non-Volatile Memory Solutions, Intel, технологический прорыв стал возможен благодаря материалам, которые позволили разместить ячейки так, чтобы они в наименьшей мере влияли друг на друга.

По словам Крука, хотя многие предрекали бесперспективность совершенствования флэш-памяти NAND из-за проблем, связанных с конструктивной особенностью плавающего затвора, их удалось преодолеть.

Приз «Semiconductor of the Year» от компании UBM TechInsights

По мнению Годси, одна из причин, по которой считается, что технология плавающего затвора не масштабируется, является предположение о том, что по мере миниатюризации запоминающих устройств количество электронов, осажденных на затворе меньшей площади, снижается. Однако ошибка такого мнения в том, что это число пропорционально емкостной связи, которая увеличивается за счет планарной структуры памяти. В результате количество электронов на плавающем затворе растет. Кроме того, у этой базовой структуры имеются перспективы дальнейшего применения.

Группа исследователей уже работает с очень малым числом электронов, т.к. на 20 нм различие между состояниями ячейки определяется 20-ю электронами, поведением которых в таких количествах управлять гораздо сложнее.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена