Переход на техпроцесс класса 10 нм на 30% увеличил выход чипов памяти Samsung с каждой пластины


С переходом на нормы производства класса 20 нм в Samsung перестали указывать точное значение техпроцесса.

В конце марта южнокорейские источники сообщили, что компания Samsung приступает к массовому производству первой в индустрии 18-нм памяти типа DRAM. На днях компания Samsung официально подтвердила начало массового выпуска памяти «класса 10 нм». С переходом на нормы производства класса 20 нм в Samsung перестали указывать точное значение техпроцесса. Не вдаваясь в подробности, Samsung планирует ещё два раза снизить нормы техпроцесса в пределах «10-нм класса», а пока, по всей видимости, компания действительно приступила к производству 18-нм кристаллов DRAM в виде 8-Гбит микросхем с интерфейсом DDR4.

По данным Samsung, переход на более тонкие нормы производства на 30% увеличил объём выхода кристаллов с каждой 300-мм пластины по сравнению с техпроцессом класса 20 нм. Также снижено энергопотребление памяти — на 10-20%. Немного увеличилось быстродействие: с поддержки DDR4-2400 до DDR4-3200. За всё за это пришлось заплатить усложнением производства. Так, теперь для изготовления критически важных слоёв применяются не два, а четыре фотошаблона. Пропорционально возросло число производственных циклов, связанных с проекцией, травлением и промывкой. И всё же, в компании рассчитывают на снижение себестоимости кристаллов DRAM, чего ещё долго не смогут добиться конкуренты — компании Micron и SK Hynix. Догнать Samsung по внедрению аналогичных техпроцессов они не смогут ещё год-полтора.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *