Постепенный переход отрасли на 3D ИС, построенных по технологии TSV (through-silicon vias), состоится не ранее 2015 или 2016 г., уверены некоторые полупроводниковые компании. Ранее считалось, что серийных выпуск объемных кристаллов начнется в 2014 г.
Ведущие фаундри и компании, занимающиеся сборкой и тестированием ИС и приложившие немало усилий по разработке технологии сквозных межсоединений (TSV), достигли определенного прогресса. Основные игроки рынка будут готовы оказать поддержку 3D ИС в 2014 г., но серийное производство по этой новой технологии начнется позже – в 2015–2016 гг. Многим заказчикам и, главным образом, дизайн-центрам по разработке ИС, пока трудно применить эту технологию в своих решениях из-за неопределенности относительно будущих тенденций проектирования кристаллов.
 |
Например, средства САПР для SiP (system-in-package – система-в-корпусе) в коммерческом исполнении появились только недавно, хотя внедрение этой технологии обсуждалось уже много лет.
К числу других сообщений на эту тему относится новость о том, что тайваньская фаундри-компания TSMC освоила производство кристаллов 3D по технологии TSV и недавно совместно с компанией Qualcomm приступила к разработке соответствующих изделий.
Источник: DigiTimes
Читайте также:
TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс
3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов
Новый альянс по производству 3D-кристаллов
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Стартовали инициативы GSA по созданию 3D-кристаллов и MEMS
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
Компания STATS аттестует 3D TSV-процесс
Наступает время 3D-кристаллов