Однажды Panasonic заявила о том, что поставки ее первых 32-нм компонентов, выполненных по технологии high-k/metal-gate, начнутся в октябре 2010 г.
Однако это произошло только сейчас. По утверждению Дика Джеймса (Dick James), аналитика компании Chipworks, причина этой задержки – в цепочке поставок, т.к. на кристаллах в качестве даты производства указан конец октября.
В ноябре 2007 г. Panasonic поставила 45-нм компоненты, выполненные по технологии high-k metal-gate (HKMG). Ей удалось это сделать почти одновременно с началом поставок 45-нм ИС компании Intel. Появление 32-нм компонентов почти на год отстает от аналогичной продукции других компаний, но Panasonic первой удалось запустить массовое производство этой продукции.
В 32-нм компонентах Panasonic используются восемь медных и один алюминиевый слой. Размер кристалла в стандартном корпусе FC-BGA составляет 45 кв.мм, шаг металлизации – 120 нм. Panasonic утверждает, что производительность транзисторов увеличилась на 40%. В то же время потребление кристаллов снизилось на 40%, и на 30% стала меньше их посадочная площадь.
По данным инженеров Chipworks, при производстве микросхем Panasonic на затвор из поликристаллического кремния была нанесена пленка из нитрида титана (TiN) с тонким слоем диэлектрика high-k. Кроме того, при формировании кристаллов использовалась технология двойного разделительного слоя, а также слоя нитрида в областях стока-истока. При формировании ИС также применялась технология напряженного кремния.
По мнению Chipworks, эти методы отличаются от тех, которые использует Intel. Новые ИС не только имеют большую производительность, но и более высокую степень интеграции, меньшие размеры и стоимость, а также меньшие токи утечки.
Источник: EETimes