Память с фазовым переходом сменит флэш-память


Ученые из Кембриджского университета нашли способ уменьшить время записи информации в ячейку памяти PRAM до рекордных 500 пс. Предполагается, что эта технология придет на смену современным запоминающим устройствам, в т.ч. флэш-памяти.

Принцип действия памяти PRAM заключается в изменении состояния вещества с аморфного на кристаллическое и обратно путем температурного воздействия, осуществляемого с помощью электрического тока. Следует заметить, что время процесса кристаллизации PRAM, т.е. записи данных, до недавнего времени составляло 1–10 нс, что уступало по скорости работы флэш-памяти. При этом материалы, способные кристаллизоваться быстрее, в условиях пониженных температур достаточно быстро теряли требуемую молекулярную структуру, и целостность данных нарушалась.

По словам ученых, они решили эту проблему, используя слабое электрическое поле, приложенное к гибридному материалу из германия, сурьмы и теллурия. В результате процесс кристаллизации стал осуществляться в 10 раз быстрее, чем прежде. Для разрушения кристаллической структуры, т.е. удаления данных, ученые прикладывали напряжение величиной 6,5 В, после чего снова записывали и удаляли информацию. Вещество успешно выдержало около 10 тыс. циклов записи и удаления данных.

Разработкой фазовой памяти занимается несколько компаний. Так, например, в середине 2011 г. корпорация IBM заявила о том, что ей удалось создать фазовую память с многоуровневой структурой, записав в одну ячейку два бита данных (по аналогии с современной флэш-памятью).

Первые прототипы фазовой памяти создали инженеры из Intel и STMicro в 2007 г., а позже ее разработкой занялись компании Numonyx и Samsung. Фазовая память сочетает свойство энергонезависимой памяти хранить информацию при отключенном электропитании и скорость работы оперативной памяти DRAM и выше. Она может использоваться для хранения данных не только в персональных компьютерах, но и в смартфонах, игровых приставках и другой электронике.

Статья под названием «Breaking the Speed Limits of Phase-change Memory» («Увеличение скорости памяти с фазовым переходом») была опубликована в журнале Science.

Источник: Electronics News

Читайте также:
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3
И снова — шумный спор о мемристорах
Sematech сотрудничает с начинающей компанией в создании RRAM

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *