Компании IBM и Hitachi объявили о начале сотрудничества в области полупроводников. Новый союз будет направлен на разработку 32-нм и, возможно, 22-нм технологических процессов. Аналогичные разработки уже ведут Intel, AMD, Sony, Toshiba и другие компании. Начало массового производства 32-нм чипов ожидается к 2010 г, 22-нм - в последующие 5 лет.

Компьютерные специалисты из университетов Мичигана и Райса предложили новый способ защиты прав разработчиков микрочипов от пиратства и промышленного шпионажа.

Компания AMD совместно с IBM изготовила образец микросхемы, в которой первый слой металлических соединений целиком создан с помощью EUV-литографии. В дальнейшем ученые должны убедиться, можно ли применять EUV-литографию для изготовления всех слоев микросхемы. Благодаря данной технологии в 2016 г. индустрия сможет перейти на 22-нм технологический процесс.

Бельгийская исследовательская организация IMEC заявила о крупном успехе в повышении кпд преобразования GaAs-солнечных элементов на Ge-подложке, достигнув рекордного значения эффективности 24,7%. Солнечные элементы на основе GaAs используются в солнечных батареях спутников и наземных концентраторов солнечной энергии

Согласно заявлению MIPS, Infineon - первая полупроводниковая компания, которая лицензировала новую архитектуру, которую IP вендор [[представил в мае]].

Компания Texas Instruments объявила о проведении практических семинаров для разработчиков по применению семейства микроконтроллеров MSP430

Компания Vishay Intertechnology Inc провела модернизацию процесса производства инфракрасных приемников серии [[TSOP3xx]]

Компания Seluxit анонсировала «домашний» [[контроллер ViaSens]] на основе стандарта Z-Wave для оценки состояния бытовых приборов, подключенных к домашней управляющей сети

Analog Devices расширяет свою линейку [[счетчиков электроэнергии]] за счет микросхем серии ADE71xx и ADE75xx

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. сообщила некоторые детали о разработанной ею [[32 нм технологии]], которая может быть использована при изготовлении как аналоговых, так и цифровых приборов

На Международной конференции IEEE по электронным приборам (2007 IEEE International Electron Devices Meeting, 10 - 12 декабря 2007 года, Вашингтон, США), прошедшей на этой неделе в бельгийском центре нанотехнологий, Межуниверситетский центр микроэлектроники IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre), занятый исследованиями и разработкой перспективных электронных приборов, сообщил о своих последних достижениях в области нанотехнологий.

Достигнут значительный прогресс в разработке 32 нм планарных CMOS транзисторов на основе гафния, с использованием ...

Как сообщает Space Daily со ссылкой на информационное сообщение компании Northrop Grumman, ее специалисты разработали самый «быстрый» в мире [[транзистор]], способный работать на частотах до 1 ТГц (1012 Гц)