На конференции APEC (Applied Power Electronics Conference, 24-28 февраля 2008, Остин, Техас) компания Infineon Technologies AG анонсировала три новых [[мощных MOSFET]] из семейства OptiMOS™ с рабочим напряжением 40, 60 и 80 В, величиной RDS(on) 1.6, 2.8 и 3.5 мОм, в корпусах TO, SuperSO8 и S3O8