Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 16 Гбит NAND флэш [[по 51 нм процессу]]

Texas Instruments представила семейство программируемых [[тактовых генераторов]], имеющих от 1 до 4 схем ФАПЧ

STMicroelectronics представила свои [[первые 1 Мбит EEPROM с интерфейсом SPI]] в узком (150 mil) корпусе SO8N

SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

Две корпорации, IBM и TDK, договорились о совместных работах по коммерциализации магниторезистивной [[памяти MRAM]] и выводу ее на рынок

Новая флэш M25PX32 компании STMicroelectronics – первая последовательная 32 Мбит флэш память (Serial Flash) с возможностью sector и sub-sector стирания со сдвоенными входами/выходами [[(Dual I/O)]]

Корпорация SanDisk представила накопитель на базе твердотельной памяти (SSD) µSSD 5000, который станет недорогой альтернативой дисковым накопителям для работы в ПК [[стоимостью до $250]]

Компания IBM объявила о крупном достижении в нанотехнологиях, которое ведет к созданию вычислительных устройств, состоящих из нескольких [[атомов или молекул]]

JEDEC сообщает о начала процесса стандартизации твердотельных накопителей - Solid State Drive (SSD). Для этой цели создана специальная Solid State Disk группа, в которую вошли около 60 человек. Планируется стандартизовать размеры SSD дисков (0.8 и 2.5 дюйма), интерфейсы, протоколы команд, питание и управление питанием. Также будут стандартизована активная часть SSD - чипы энергонезависимой памяти. Кроме того, группа планирует разработать эталонные конструкции SSD контроллеров и материнских плат.

Сегмент рынка устройств SSD находится в начальной стадии ...

Керамические кварцевые генераторы для поверхностного монтажа DS4106, DS4212 и DS4425 являются частью серии кварцевых генераторов DS4-XO компании Maxim. Приборы генерируют частоты 106.25 МГц, 212.5 МГц и 425 МГц. Тактовые генераторы ориентированы на системы, которые для достижения требуемых характеристик джиттера, фазового шума и стабильности нуждаются в высокоточной синхронизации. Малые размеры корпуса делают применение этой продукции привлекательной в устройствах, критичных к размерам печатной платы.

Для формирования конечных ...

Корпорации Toshiba и SanDisk провели официальную церемонию открытия Fab 4, самого нового производства, рассчитанного на 300 мм пластины, которое вошло в строй в составе производственного комплекса Toshiba, расположенного в японском городе [[Йоккаичи (Yokkaichi)]]

Семь крупнейших компаний, производителей флэш памяти объявили о своей поддержке промышленной спецификации для сменных флэш карт и встроенной памяти, разрабатываемой JEDEC Solid State Technology Association [[(JEDEC)]]

Исследовательская группа из университета Пенсильвании разработала [[устройство для хранения цифровой информации]] на основе наностержней, сообщает PhysOrg

Удалось разработать технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая работает в 1000 раз быстрее, чем современная флэш-память, и способна хранить данные в течение [[100 тыс. лет]]

Компания Microchip Technology завершила серию последовательных EEPROM, добавив в семейство 1 Мбит EEPROM 25AA1024 и 25LC1024 (25xx1024) с тактовой частотой 20 МГц. По заявлению фирмы, это самые быстрые в отрасли 1 Мбит [[serial EEPROM]]

DS1372 ИС часов реального времени со встроенным двоичным счетчиком и уникальным 64-разрядным серийным номером позволяет уменьшить количество компонентов [[при разработке]]