Открытие ученых сулит новую революцию в транзисторных технологиях


Ученые из Франции и Швейцарии доказали, что большее, чем теоретически допустимое, механическое напряжение улучшает подвижность дырок в кремнии р-типа. Это открытие может изменить технологии создания современных транзисторов.

Производители полупроводников уже используют напряженный кремний, чтобы повысить подвижность электронов и дырок в транзисторах n- и p-типа. До недавних пор считалось, что данный метод уже достиг предела применимости и на следующем этапе улучшения характеристик транзисторов и микросхем следует задействовать сложные структуры из нескольких полупроводниковых слоев или тонкие углеродные пластины.

Ученые из Политехнической школы (École Polytechnique), Национального центра научных исследований Франции (Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS), Института электроники, микроэлектроники и нанотехнологий (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie) и Университета Женевы (University of Geneva) показали, что подвижность зарядов в кремнии p-типа растет при намного большем напряжении, чем предсказывала теория.

Если насыщение электрической проводимости кремния n-типа наступает в результате ее увеличения на 45% от значения при нулевом напряжении, что хорошо согласуется с ожиданиями, то проводимость р-типа растет и после теоретически предсказанного предела, не достигая насыщения даже при однонаправленном давлении в 3 ГПа.

Согласно теоретическим расчетам, повышение производительности невозможно при давлении выше 1 ГПа. Это значение давления используется при изготовлении коммерческих устройств на основе напряженного кремния. Именно по этой причине дальнейшая разработка данной технологии не рассматривалась, по крайней мере, до недавних пор.

Таким образом, инвестиции в дальнейшую разработку технологии напряженного кремния становятся вполне оправданными. Результаты этого исследования были опубликованы в этом месяце в журнале Physical Review Letters.

Источник: EE Times 

Читайте также:
UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM
IBM представит 22-нм память в декабре

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *