Объявлено о начале серийного выпуска NAND-памяти по нормам 24 нм


Компания Toshiba начала массовое производство модулей флеш-памяти по 24-нанометровому техпроцессу.

Для производства новых модулей компания применяет технологию, позволяющую хранить 2 бита в каждой ячейке. Плотность чипов равна 64 Гбит. В будущем Toshiba планирует освоить выпуск чипов плотностью 32 Гбит, по технологии, позволяющей хранить 3 бита информации в каждой ячейке.

Также в новых модулях используется технология Toggle DDR, что повышает скорость передачи данных.

Toshiba отмечает, что уменьшение технологических норм позволит компании снизить производственные издержки. Благодаря новому техпроцессу производитель сможет выпустить большее количество чипов из одной кремниевой пластины.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *