О выполнении программы «Развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.

Ключевыми мероприятиями на 2011 год по направлению «Капитальные вложения» являются:

— ФГУП «Научно-производственное предприятие «Пульсар» (Москва) – реконструкция и техническое перевооружение для создания производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках.

— ФГУП «Научно-производственное предприятие «Салют» (Нижний Новгород) – реконструкция и техническое перевооружение для увеличения объемов производства активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью.

— ФГУП «Научно-производственное предприятие «Алмаз» (Саратов) – реконструкция и техническое перевооружение производства для ввода новых мощностей по изготовлению новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов.

мФГУП «Научно-производственное предприятие «Восток» (Новосибирск) – техническое перевооружение для создания производственной линии по выпуску новых изделий радиационно-стойкой ЭКБ.

ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (Зеленоград) – техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.

— ОАО «Конструкторское бюро «Луч» (Рыбинск, Ярославская область) – техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей.

— ОАО «Челябинский радиозавод «Полет» (Челябинск) – техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы.

— ФГУП «Производственное объединение «Октябрь» (Каменск-Уральский, Свердловская область) – Техническое перевооружение для создания новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики.

Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом»

— ФГУП «Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е. Седакова», (Нижний Новгород) — реконструкция дизайн-центра радиационностойкой электронной компонентной базы;

— ФГУП «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова, (Нижний Новгород) – техническое перевооружение для создания технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах.

Федеральное космическое агентство

— ОАО «Научно-исследовательский институт точных приборов» (Москва) — реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв.м;

— ОАО «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (Москва) – реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.

На сайте также представлены также планы по направлениям «НИОКР»:

Минпромторг России:

— Разработка базовой технологии изготовления и базовой конструкции микро-акустоэлектромеханической системы измерения температуры на основе использования поверхностных акустических волн (ПАВ), совместимых с технологией микроэлектроники.

— Разработка унифицированных встраиваемых малогабаритных радиационно стойких вторичных источников питания и их элементов для бортовых систем ракетно-космической и авиационной техники и промышленной электроники.

— Разработка базовой конструкции и технологии производства силовых модулей высокоплотных источников вторичного электропитания.

— Разработка универсальных микропроцессорных измерителей — датчиков и аналитических систем с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга состояния окружающей среды и контроля утечек опасных и вредных веществ.

— Разработка базовой технологии вандалопрочных информационных панелей на основе технологий поверхностных акустических волн для информационных систем массового и индивидуального обслуживания.

— Разработка унифицированной базовой технологии прототипирования многоядерных систем на кристалле с универсальной частью на базе ядра с архитектурой Эльбрус при создании многоядерных микропроцессоров для их серийного производства.

— Разработка ленточной технологии и организация серийного производства металлополимерных микроплат антенн RFID для микроэлектронных модулей радиочастотной идентификации.

— Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок.

— Создание экологически безопасной технологии производства высокочистого кремния в обеспечение получения интегральных схем и полупроводниковых приборов на базе многослойных кремниевых структур.

— Разработка производственной технологии эпитаксиальных структур для высокоэффективных светодиодов белого, зеленого и синего диапазонов излучения.

— Разработка базовых технологий создания унифицированных электронных модулей контроля воздействия тяжелых заряженных частиц для радиоэлектронной аппаратуры,

— Разработка базовой технологии, конструктивно-технологических и схемо-топологических решений преобразователей температуры с цифровым выходом в интегральном исполнении на структурах «кремний-на-диэлектрике» для создания радиационностойких унифицированных электронных модулей преобразователей физических величин.

— Разработка технологических процессов изготовления и базовых конструкций ультразвуковых систем для изделий ракетно-космической техники.

Минобрнауки России

В 2011 году будет обеспечена реализация научно-исследовательских работ в рамках мероприятий 60 и 62 (направление 4 «Микроэлектроника») Программы в части разработки базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов, а также научно-исследовательских работ по разработке базовой технологии формирования многослойной разводки (7 – 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Сu.

Научно-исследовательские работы по данным мероприятиям позволят обеспечить создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям современных электронных компонентов.

Федеральное космическое агентство

— Разработка базовых технологий создания унифицированных электронных модулей контроля воздействия тяжелых заряженных частиц для радиоэлектронной аппаратуры, функционирующей в жестких условиях эксплуатации.

— Разработка базовой технологии, конструктивно-технологических и схемо-топологических решений преобразователей температуры с цифровым выходом в интегральном исполнении на структурах «кремний-на-диэлектрике» для создания радиационностойких унифицированных электронных модулей преобразователей физических величин.

— Разработка технологических процессов изготовления и базовых конструкций ультразвуковых систем для изделий ракетно-космической техники.

Объем финансирования в 2011 году за счет средств федерального бюджета составляет 13 млн рублей, в том числе «капитальные вложения» – 3 млн рублей предусмотрено по программе (3,070 млн руб. – выделенные объемы финансирования, бюджетные инвестиции – 3,070 млн руб. межбюджетные субсидии – 0 тыс. рублей), НИОКР – 10 млн руб. предусмотрено по программе (9,930 млн руб. – выделенные объемы финансирования).

С полным текстом аналитической справки можно ознакомиться здесь