Как сообщает Space Daily со ссылкой на информационное сообщение компании Northrop Grumman, ее специалисты разработали самый «быстрый» в мире [[транзистор]], способный работать на частотах до 1 ТГц (1012 Гц)
Транзистор создан по технологии High Electron Mobility Transistor на базе фосфида индия (InP HEMT) и предназначен для использования в военной, а в перспективе — и в гражданской технике. Это очередной продукт в линейке высокочастотных транзисторов, производимых компанией.