Новые транзисторы: молибденит как альтернатива кремнию


Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL) обнаруживали, что молибденит (molybdenite) может быть использован вместо кремния при создании полупроводниковых кристаллов.

Используя молибденит, возможно создавать меньшие по размерам и более экономичные электронные чипы. Исследование, выполненое в Лаборатории наноэлектроники и наноструктур (Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures, LANES) показало, что молибденит, или MoS2, весьма эффективный полупроводник. В настоящее время молебдонит применяют как легирующий элемент при производстве стали и как добавку в смазочных материалах.

Однако ученые считают, что молибденит может быть использован в микроэлектронике, поскольку имеет ряд преимуществ перед традиционным кремнием и графеном. Профессор Андрас Кис (Andras Kis) из EPFL объясняет, что молибденит – это двумерный материал, очень тонкий и легкий, в связи с чем он годится для изготовления сверхминиатюрных транзисторов, светодиодов (LED) и солнечных элементов

В пластине из MoS2 толщиной 65 нм электроны перемещаются с той же легкостью, что и 2 нм пластине из кремния, что позволяет и дальше снижать размеры чипов, что при использовании кремния невозможно. На основе молибденита можно также изготавливать транзисторы, потребляющие в 100,000 раз меньше энергии в состоянии покоя, чем современные кремниевые приборы.

Результаты исследования опубликованы в январском номере журнала Nature Nanotechnology. Подробности здесь.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *