Новинки DRAM и NAND за февраль

Micron и Nanya создали чип DDR3 с нормами 42 нм

Компании Micron Technology и Nanya Technology сообщили о совместной разработке чипа памяти DDR3 объемом 2 Гбит с технологическими нормами 42 нм. Чипы предназначены для применения в серверах, ноутбуках и настольных ПК. Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объемом до 16 Гб.

Особенности анонсированных микросхем: меньшее рабочее напряжение (1,35 В), меньшее тепловыделение и потребление энергии (на 30%), более высокое быстродействие (до 1 866 Мб/с для чипа 2 Гб DDR3) и повышение эффективности производства.

Начало выпуска чипов ограниченным тиражом намечено на второй квартал 2010 года, а массовое производство – на вторую половину года.

40-нм чипы DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит от Samsung

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства МС памяти DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит с технологическими нормами 40 нм. В настоящее время в серверах используется в среднем 6 слотов RDIMM (registered dual in-line memory module –модуль памяти с двухсторонними выводами) на ядро. Общая емкость DRAM может достигать 96 Гб. Один модуль 60-нм DDR2 емкостью 1 Гбит потребляет 210 Вт, а 40-нм DDR3 емкостью 2 Гбит – 55 Вт. Для сравнения новые 40-нм DDR3 емкостью 4 Гбит еще более экономичны – они потребляет всего 36 Вт.

Новые модули памяти могут питаться от источников 1,5 или 1,35 В. Доступные МС содержат RDIMM емкостью 16 и 32 Гб и SoDIMM 8 Гб. Скорость передачи данных составляет 1,6 Гбит/с. Samsung переходит на нормы 30 нм В феврале также были анонсированы новые DDR3 чипы Samsung емкостью 2 Гбит, произведенные по технологическим нормам 30 нм. Предназначены для использования в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах. Особенности представленных схем: сниженное на 30% энергопотребление (по сравнению с чипами, изготовленными по технологии 50 нм); более высокое быстродействие (на 60% выше, чем у DDR3 с нормами 40 нм) стоимость производства снижена более чем в два раза; напряжение питания 1,5 В или 1,35 В. Массовое производство 30-нм чипов намечено на вторую половину текущего года, а к концу года технология будет применяться при производстве большинства микросхем памяти Samsung.

Опережает Samsung лишь совместное предприятие Intel и Micron Technology, которое выпускает чипы флэш-памяти с нормами 25 нм. Однако это не DRAM, а NAND (см. ниже).

Intel и Micron запустили производство 25-нм NAND

Компании Intel и Micron Technology (совместный проект IM Flash Technologies) объявили о запуске производства NAND-памяти емкостью 8 Гб по технологии 25 нм, которая позволит снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных таких устройств как смартфоны, медиаплееры и твердотельные накопители. На данный момент это самая передовая технология производства NAND.

В модулях используется многоуровневая структура ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Микросхемы помещаются в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). Количество чипов в новом модуле, по сравнению с таковыми на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет создавать более емкие продукты с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Так, для создания одного SSD-диска емкостью 256 Гб потребуется 32 новых модуля, а не 64.

В настоящее время осуществляются поставки опытных образцов 25-нм NAND 8 Гб. Серийное производство планируется начать во втором квартале 2010 года.

Борьба на рынке NAND: Hynix, Samsung, Intel и Micron

Соперничество между компаниями Hynix Semiconductor и Samsung накаляется – в феврале первая заявила о начале производства флэш-памяти NAND 64 Гбит по технологии 26 нм, на что вторая ответила объявлением о начале производства аналогичных МС с технологическими нормами 27 нм уже во второй половине текущего года.

Заявление Hynix может быть продиктовано желанием идти в ногу с технологическими лидерами Intel и Micron. Как бы то ни было, компания наметила массовый выпуск NAND на третью четверть 2010 года, в то время как другой конкурент, Samsung, уже наладил опытное производство еще в октябре и перейдет на серийное во втором квартале текущего года.