NEC и Университет Тохоку рассказали об успехах в разработке CAM-on-MRAM


На симпозиуме VLSI Circuits and Technologies корпорация NEC и Университет Тохоку представили два исследования о применении магнитного энергонезависимого ОЗУ с ассоциативной памятью (САМ).

Перемещение доменной границы в ячейке

Перемещение доменной границы в ячейке (Источник: NEC, Tohoku University)

Первый доклад посвящен описанию работы энергонезависимой памяти на основе движения доменной стенки магнитного ОЗУ. Во втором докладе рассматривается энергоэффективная форма памяти TCAM.

Тип памяти spin-CAM основан на использовании вертикального намагничивания за счет движения доменных границ в активном кобальтоникелевом слое для обеспечения энергонезависимого хранения данных CAM.

Исследователи создали 16-Кбит кристалл Spin-CAM по норме 90 нм с временем поиска 5 нс и ячейку памяти размером 6,6 кв.мкм. Использование нового типа памяти CAM позволит разрабатывать электронные системы с мгновенным запуском и нулевым потреблением в режиме ожидания. Ток во время операции записи такой 90-нм памяти составляет 200 мкА.

Подобные цепи создавались и прежде, но их параметры были хуже, чем у традиционных CAM. Для того чтобы эта память была энергонезависимой, а также обеспечивала высокую скорость операций с данными, к каждой ячейке подключаются два дополнительных спинтронных устройства. Кроме того, для разделения токов во время операций чтения и записи используются устройства с тремя выводами.

В настоящее время эта группа исследователей работает над тем, чтобы доменная стенка передвигалась при меньшем значении тока в 50 мкА, протекающего по активному слою из кобальта-железа-бора.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *