Нанотехнологии в электронике


PDF версия

«Тот, кто раньше овладеет
нанотехнологией, займет ведущее место в техносфере будущего».

Э. Теллер

Сколько раз приходилось задумываться: «Тому ли я учу своих студентов? Достаточны ли полученные от меня знания для их будущей жизни? И какова она техника будущего?» Это очень важно, приоткрыть молодым людям горизонты будущего, приготовить их к этому будущему. В этой связи можно с уверенностью сказать, что будущее электроники неизбежно связано с нанотехнологиями.

Будущее закладывается сегодня

Дать старт молодым, увлечь задачами будущего — важная задача профессуры. Иначе можно спокойно читать лекции по пожелтевшим от времени конспектам, не озадачивая себя прогнозами будущего. Мне — в бытность студенту МЭИ — посчастливилось в этом. В далекие 50-е годы нам читал лекции профессор Фабрикант Валентин Александрович — любимец аспирантов и студентов, которые наградили его такими стишками: «Гордится Франция Ферми, Германия — ученым Кантом. А наше славное МЭИ — Гордится Валей Фабрикантом!». Именно он указал в 1939 году на возможность использования вынужденного излучения для усиления электромагнитного излучения при прохождении его через вещество (отрицательная абсорбция). Позднее, после окончания войны он вернулся к этой идее и в 1951 году запатентовал способ усиления излучения за счет вынужденного излучения. Тогда еще не существовало слово «ЛАЗЕР», сложившегося из известной аббревиатуры. Поэтому первая в жизни моя статья в газету Научного Студенческого Общества с подачи профессора называлась «Молекулярные усилители». Потом появился термин «Оптические квантовые генераторы», теперь мы все знаем, о чем идет речь, когда произносим слово «ЛАЗЕР». Так талантливый профессор дал старт будущему.
Сегодня в нанотехнологиях управление атомами стало возможным только с помощью лазерного луча. Уже используется недорогой и простой метод объединения наночастиц в более крупные структуры с управлением лазером. Метод оптически направленной сборки позволяет собирать из наночастиц более крупные структуры произвольной формы.

Постоянная тенденция развития электроники — увеличение интеграции электронных компонентов

Вся история электроники — стремление к уменьшению размеров, увеличению быстродействия и массовость производства. Этим тенденциям она будет следовать постоянно.
Гордон Мур (Gordon Moore) — один из основателей компании Intel — установил, что плотность логических элементов микросхем удваивается каждые полтора года. На основании этой закономерности в 1965 году, когда плотность составляла 50 компонентов на кристалле, он предрекал, что в 1975 году она составит 65 тыс. компонентов на кристалле, что и произошло. Эта тенденция действует до сих пор, и стала она называться Законом Мура.
В наше время процессор Itanium компании Intel содержит миллиарды логических элементов. Высокая плотность размещения элементов на кристалле достигается в первую очередь за счет успехов в улучшении разрешающей способности литографии. Сегодня разрешение в 130 нм является рядовым достижением, но уже существуют производства с размерами элементов 65 и 43 нм. В такие размеры укладывается цепочка из 300 и 200 атомов. Сейчас ученые и инженеры компании Intel планируют перейти рубеж в 20 нм.
Уменьшение размеров компонентов продолжается, однако предел будет достигнут очень скоро, когда размер логического элемента на кристалле станет равным размеру атома. Специалисты считают, что это произойдет к 2020—2030 г.г. Более мелкие компоненты компьютеров будущего, вероятно, будут состоять из субатомных частиц.

Границы нанотехнологий

Постоянно возникает вопросы: «Где же границы нанотехнологий, наноматериалов? Как отделить спекулятивное использование приставки «нано-» от подлинной нанотехнологии?» На конференции «ЭЛЕКТРОНИКА XXI ВЕКА» (Цикл публичных лекций), состоявшейся в октябре 2008 г. на выставке «ChipEXPO-2008» прошла дискуссия на эту тему. Обсуждались такие варианты ответов.
Первый, как утверждали производители микросхем, они давно уже находятся в области нанотехнологий, поскольку имеют дело с малоразмерной литографией и т.п. Иначе говоря, для них нанотехнологии это обычная эволюция размеров в сторону уменьшения до наноразмеров, не более того. И потому ничего нового в нанотехнологиях они не видят.
Второй ответ связывают с длиной волны Дебройля, как порогом перехода к нанообласти. Например, если размеры частиц становятся сравнимыми с длиной волны фонона (кванта колебательной энергии), в ней могут возникать новые режимы передачи тепла и электричества. И это другая крайность — волна Дебройля близка к размерности 0,1 нм.
Третий ответ (самый конструктивный) — переход в нанообласть связан с качественным изменением свойств материалов. Например, углеродные нанотрубки (графены) резко отличаются от обычных представлений о физико-механических свойствах электротехнических материалов — переход в нанообласть резко меняет качественные характеристики материалов (см. табл. 1).

Таблица 1. Сравнение необычных свойств углеродных нанотрубок с обычными материалами

Свойство

Графен

Обычные материалы

Модуль упругости, ГПа

~1000 ГПа

Сталь — 200 ГПа

Максимальная плотность тока, А/см2

1010

Медь — 106

Плотность, г/см3

1,33…1,40

Алюминий — 2,7

Теплопроводность, Вт/м·К

до 3300

Медь — 400

Можно полагать, что для понятия нанотехнология еще не существует исчерпывающего определения, но по аналогии с существующими ныне микротехнологиями следует иметь ввиду, что нанотехнологии — это технологии, оперирующие величинами порядка нанометра. Это ничтожно малая величина, в сотни раз меньшая длины волны видимого света и сопоставимая с размерами атомов. Поэтому переход от «микро» к «нано» — это уже не количественный, а качественный переход — скачок от манипуляции веществом к манипуляции отдельными атомами.

Эффекты нанотехнологий

Новые эффекты нанотехнологий связаны не только с уменьшением размеров компонентов систем. Благодаря более малым размерам ученые надеются выйти на новый качественный уровень полупроводниковой электроники и создать совершенно новые поколения процессоров.
На мономолекулярном уровне нанотехнологии позволяют получать качественно новые результаты. Например, разбивка сплошного материала на наночастицы увеличивает общую площадь поверхности в миллионы раз. Большая площадь поверхности означает увеличенную реактивную способность. Наноматериалы плавятся, воспламеняются и абсорбируют гораздо легче, чем их сплошные массивные аналоги. Например, массивный брусок золота является химически инертным, а золотое нанокольцо действует как катализатор. Ученые Ростокского Университета (Германия) полагают, что бессвинцовые припои могут плавиться при меньших температурах за счет введения в них определенных наночастиц.
Некоторые наноматериалы с уменьшением размеров (менее длины волны видимого света) становятся прозрачными. Благодаря этому эффекту ученые научились передавать свет через такие непрозрачные материалы, как, например, кремний.
Другие материалы становятся чрезвычайно прочными. Например, углеродные нанотрубки обладают очень высокой прочностью и гибкостью, поскольку их атомарная структура — это структура алмаза.

Нанотехнологии и квантовая механика

Однако в наномире все еще много загадочного. Например, наноматериалы не подчиняются законам механики Ньютона. Дело в том, что в наномасштабе доминируют законы квантовой механики. Этот раздел физики описывает поведение вещества на атомарном и ядерном уровне. На этих уровнях энергия, импульс и другие свойства изменяются не непрерывно, как на макроскопическом уровне, а дискретно, то есть неделимыми порциями, или квантами.
Законы механики Ньютона прекрасно объясняют движение планет и траекторию движения биллиардных шаров, а законы квантовой механики описывают поведение молекул, атомов и других объектов наномира. Механика Ньютона не может удовлетворительно объяснить стабильность атомов, а также такие явления, как сверхпроводимость и сверхтекучесть.
В отличие от классической механики, квантовая механика способна объяснить некоторые поистине необычные явления. Прежде всего, это корпускулярно-волновой дуализм — наличие у нанообъектов свойств, присущих волнам и частицам (на уровне волны Дебройля). Квантовая механика лежит в основе современной и будущей электроники. Применение ее законов для создания новых нанотехнологий станет залогом успеха в будущем.

Ограничения литографии

Стандартная кремниевая микропроцессорная технология вскоре достигнет своего физического предела. Создателям будущих микропроцессоров потребуется найти новые технологии, которые позволили бы им повысить плотность транзисторов в микрочипе и создать новые мощные микропроцессоры.
В настоящее время для создания микропроцессоров используется фотолитография. Эта технология основана на принципе фотопечати, то есть с помощью света топология электрической схемы проецируется на кремниевую подложку.
В современных компьютерах используются сотни микропроцессоров с миллионами транзисторов. Компании — производители микропроцессоров стремятся создавать все более миниатюрные транзисторы для увеличения их плотности в микропроцессорах.
Одним из наиболее важных ограничивающих факторов литографии является длина волны света. Чем короче длина волны, тем меньше вытравленные па подложке элементы топологии схемы и выше плотность транзисторов. А чем выше плотность транзисторов, тем больше вычислительная мощность микропроцессора. Именно по этой причине процессор Intel Pentium-4 имеет 42 млн. транзисторов, а процессор Intel Pentium-3 — всего 28 млн.
Литография — это, по сути, технологический процесс репликации чертежа микросхемы на подложку. Достоинства и недостатки этого процесса определяют производительность и стоимость микросхем. Литография включает этапы создания маски, экспозиции, нанесения и проявления фоторезиста, травления кремния и т. д. Сокращение или повышение эффективности любого из этих этапов позволяет уменьшить стоимость созданных микросхем.
Современные кремниевые чипы создаются с использованием ультрафиолетового света с очень короткой длиной волны (deep-ultraviolet lithography). В настоящее время ведутся интенсивные исследования возможностей использования литографии на основе экстремального ультрафиолетового света (extreme-ultraviolet lithography) с длиной волны около 10…15 нм. С его помощью можно настолько увеличить плотность транзисторов в микропроцессорах, что они станут мощнее почти в 100 раз. Некоторые специалисты считают, что эта задача будет решена уже к 2012 г.

Завтрашние микросхемы — системы нанотранзисторов

Ученые из Университета штата Иллинойс (США) создали биполярный транзистор, который способен работать с частотой 600 ГГц. Они предполагают в скором времени создать транзистор, который сможет преодолеть терагерцовый барьер и стать основой для высокоскоростных вычислений. Имея меньший размер, терагерцовый нанопроцессор будет содержать в 25 раз больше транзисторов, работать в 25 раз быстрее и потреблять меньше энергии, чем чип Pentium-4. Компания Intel планирует создать такой чип на основе нанотразисторов. Полевой транзистор на основе фосфида индия и арсенида галлия содержит коллектор, базу и эмиттер. Именно на таком транзисторе ученым удалось получить частоту 604 ГГц и славу создателей самого быстрого транзистора в мире.
Работающие на высоких скоростях транзисторы переносят ток высокой плотности и сильно перегреваются, настолько, что при этом может происходить плавление их отдельных компонентов. В новых композитных биполярных транзисторах поддерживается более низкая плотность тока. С помощью новых материалов ученые и инженеры стремятся повысить вероятность успешного создания терагерцового транзистора уже в недалеком будущем. Более быстрые транзисторы позволят создать более быстрые микропроцессоры, а значит более мощные компьютеры и эффективные электронные системы для связи, промышленности и армии.
Как все эти достижения связаны с нанотехнологиями? За последние 35 лет специалисты компании Intel научились создавать все более миниатюрные чипы и их компоненты. В настоящее время отдельные компоненты этих чипов уже вышли за пределы микрометрового диапазона в сторону наноразмеров, то есть стали меньше 100 нм. Сейчас ученые и инженеры компании Intel планировали перейти рубеж в 20 нм. Это достижение позволит компании Intel стать самой крупной нанотехнологической компанией в мире.

Прогнозы пределов миниатюризации

Специалисты прогнозируют, что полупроводниковая индустрия с современными стандартными технологиями достигнет физического предела миниатюризации электронных компонентов к 2015–2020 г.г. После этого инженерам не удастся далее сокращать размеры элементов кремниевых микропроцессоров. С приближением этого времени компании — производители микропроцессоров хотели бы сохранить свое лидирующее положение на рынке. Будущий успех они связывают с нанотехнологиями.
В 2005 г. полупроводниковые компании получили совокупный доход около 214 млрд. долл. США. Пройдет немало времени, пока нанотехнологические компании достигнут такого уровня доходов. Но чтобы удваивать вычислительную мощность компьютеров каждые полтора года, согласно закону Мура, компьютерная промышленность должна постоянно находить новые технологии, архитектуры и материалы. Нельзя сказать, что эта задача недостижима, ведь некоторые производители микропроцессоров уже преодолели рубеж в 43 нм. Фактически в своей работе они уже используют нанотехнологии.
Во втором десятилетии XXI века производители микропроцессов, которые инвестируют огромное количество средств в нанотехнологии, будут приобретать перспективные компании, которые смогут создавать свои нанотехнологии, а также интегрировать уже имеющиеся методы и материалы.

Наноминиатюризация на уровне ДНК

Одна из проблем в создании наноструктур — сборка компонентов в систему. Представление об использовании инструмента здесь не приемлемо. Действительно, как можно взять, переместить и точно поставить наноразмерный компонент на наноразмерную подложку? Германские ученые представляют себе процесс сборки в некоей жидкости, в которой плавают нанокомпоненты. Определенным образом ориентируясь, они подплывают к наноподложке и встают в нужные ее места, реализуя, таким образом, наносборку.
Другой принцип формирование сборок — использование биоэлектроники на основе молекул ДНК, способных стать основой компьютеров будущего. ДНК-чипы, которые также называют биочипами, уже сейчас являются частью биологических технологий в генетических исследованиях. ДНК-чипы состоят из молекул ДНК, которые располагаются на жесткой подложке (например, из кремния, стекла, пластика и т.п.). Технология ДНК-чипов может сыграть важную роль в реализации нанопроизводства.
Созданием ДНК-чипов занимаются некоторые крупные компании, включая Affymetrix, PE Applied Systems, HySeq, Nanogen, Incyle, Molecular Dynamics и Geometrix. В России такие чипы находятся на стадии научных исследований.
Электрически активные ДНК-чипы, которые генерируют контролируемые электрические поля в каждом пикселе, могут иметь потенциально перспективные приложения для нанопроизводств. Такие наноэлектронные устройства переносят заряженные молекулы, наночастицы, клетки и структуры наномасштаба к любому месту на поверхности устройства, формируя наносистему.
В вычислительных устройствах на основе ДНК электрические поля используются для регулирования процессов самосборки в заданных пикселях ДНК-чипа. Они также играют роль «материнских плат» для сборки молекул ДНК в сложные трехмерные структуры. Молекулы ДНК сами по себе обладают программируемыми и самоорганизующимися свойствами, поэтому их можно настроить для выполнения функций молекулярной электроники и фотоники.

Первые успехи ДНК-сборки

Молекулы ДНК можно присоединять к более крупным структурам (например, металлическим и органическим частицам, нанотрубкам, микроструктурам и кремниевым поверхностям). В будущем микроэлектронные массивы и ДНК-компоненты могут позволить ученым и инженерам регулировать самосборку двухмерных и трехмерных электронных цепей и устройств внутри более крупных полупроводниковых структур. В этом случае электрически управляемая самосборка ДНК может охватить широкий круг потенциальных применений.
Например, исследователи из Израиля уже связали транзисторы с нитями ДНК. Группа физиков под руководством Эреза Брауна (Erez Braun) из Израильского технологического института разработала двухэтапный процесс такой связи. Во-первых, они использовали белки, которые способны связать углеродные нанотрубки с особыми местами нити ДНК. Затем им понадобилось превратить остальную часть молекулы ДНК в электропроводящую проволоку. Поскольку ДНК не проводит электричество, было необходимо присоединить металлический проводник к нити ДНК, Для этого молекулу ДНК покрыли белками бактерии Е. со/г. Затем углеродные нанотрубки (покрытые антителами) прикрепили к белку, а потом поместили в раствор, где ионы серебра стали связываться с фосфатными группами ДНК, но только в местах, где не было белков Е.coli. Альдегид (углерод с присоединенной группой с электрическим зарядом) превратил ионы серебра в атомы, которые образовали основу проводника. Углеродная нанотрубка обоими концами была соединена с золотой и серебряной проволокой и функционировала как транзистор при приложении переменного напряжения. В зависимости от приложенного напряжения нанотрубки либо замыкали щель между проволоками (и цепь в целом), либо размыкали ее. Так с помощью биологического процесса ученые научились соединять оба устройства.
Аналогичный метод можно применить для создания самособирающихся систем на основе ДНК структур и цепей. Хотя это всего лишь один крошечный шаг к молекулярным вычислительным устройствам, самособирающимся на основе ДНК, но есть надежда, что в ближайшем будущем таким образом можно будет создавать крупные самособирающиеся электронные устройства (например, компьютеры). Оперируя на атомарном уровне, ученые и инженеры смогут организовать передачу и обработку информации в малых молекулярных устройствах.

Межсоединения в наносистемах

Создатели микропроцессоров в поиске новых материалов для будущих интегральных микросхем обратили пристальное внимание на однослойные углеродные нанотрубки. Однако оказалось, что с ними чрезвычайно трудно работать.
Они имеют диаметр от 1 до 5 нм (то есть почти в 50 тыс. раз тоньше человеческого волоса), но в 100 раз прочнее, в 6 раз легче и на 20% эластичнее стали. Однослойные нанотрубки также обладают огромной теплопроводностью и могут вдвое быстрее переносить электрические заряды, чем цепи на основе кремния. Эти преимущества вдохновляют ученых на создание более миниатюрных, быстрых и менее нагревающихся чипов. Предполагается, что на основе углеродных нанотрубок можно будет создать даже трехмерные интегральные микросхемы, в которых транзисторы будут располагаться не только бок о бок, но и один над другим, что невозможно в схемах на основе кремния.
Казалось бы, все «помешались» на углеродных нанотрубках, однако многие компании стремятся упорядочить и структурировать данные о новых материалах. Ассоциация полупроводниковой промышленности (Semiconductor Industry Association — SIA), в которую входят основные производители микропроцессоров, совместно с правительственными органами США разработала программу оценки возможностей новых нанотехнологических процессов и финансирования исследований правительственными и частными организациями.
SIA сфокусировалась на двух-трех новых нанотехнологических областях, чтобы максимально сконцентрировать в них средства и ресурсы. Ученые и инженеры смогут проводить свои исследования более организованно и координировано. До 2005 г, ученые не знали, как можно производить нанотрубки в промышленном масштабе. Дело в том, что после выращивания получаются нанотрубки разного диаметра и длины, а также со свойствами проводников и полупроводников. В действительности, миллионы углеродных нанотрубок выглядят как обычное пятнышко сажи. Для извлечения нанотрубок заданного типа и размера нужно изрядно потрудиться.
Группе ученых из компании DuPont и Университета Раис (США) удалось разделить нанотрубки с помощью специальных добавок, которые не дают нанотрубкам слипаться. Лауреат Нобелевской премии Ричард Смолли описал эту ситуацию так: «Представьте себе, что нанотрубки — это спагетти, а мы лишь изобрели масло».
В 2005 г. проблема получения однообразных трубок стала менее актуальной. Ученые из компании Southwest NanotechnologlM (США) предложили способ выращивания нанотрубок постоянного диаметра, а их коллеги из Университета Дюк и Национальной лаборатории в Лос-Аламос (США) вырастили самые длинные нанотрубки — длиной около 4 см. Благодаря их усилиям теперь можно получать нужное количество нанотрубок одинакового размера, а значит, упрощается их применение.

Нанопровода

Методы очистки, распутывания, выпрямления и сортировки нанотрубок гораздо сложнее, чем методы выращивания кремниевых кристаллов. А создание электрических цепей на их основе — огромная техническая проблема, которую сейчас решают ученые и инженеры.
Гораздо проще работать с кремниевыми нанопроводами (наностержнями, или квантовыми проводами), которые являются следующим этапом развития кремниевой электроники. Как и нанотрубки, нанопровода могут образовывать сложные конфигурации из сверхмалых транзисторов, но они не обладают сверхвысокой прочностью нанотрубок. Нанопровода могут образовывать сложные системы с другими материалами. Кремниевые нанопровода научились делать благодаря огромным успехам современных электронных технологий. Дело в том, что ученые и инженеры могут контролировать их структуру и свойства так же, как делали это на протяжении многих лет.
Однако кремний — не единственный материал, пригодный для создания нанопроводов. Для разных целей могут применяться металлические или многослойные нанопровода из золота, меди или марганца. Нанопровода диаметром 12 нм можно использовать для оптических и электромагнитных систем, включая сенсоры и солнечные батареи.
Нанопровода создают в лабораториях с помощью подвешивания или напыления. В первом методе тонкий обычный провод подвешивают в вакуумной камере и уменьшают его толщину либо травлением, либо обстреливая его высокоэнергетичными частицами, либо вытягивая его из расплава.
Во втором методе напыленные нанопровода образуются на подложке, например, в виде ряда атомов металла на непроводящей поверхности. Это обычно достигается с помощью лазерной абляции («стирания») атомов нанопроводов.
Именно так получают нанопровода для полупроводниковых компонентов электрических схем.
Для создания компонентов электрических схем на основе нанопроводов отдельные нанопровода легируют, чтобы получить полупроводники n-типа или p-типа. Затем простой переход р-n-типа фиксируют посредством простого физического соединения провода р-типа с проводом n-типа или при помощи химического легирования различными примесями. За счет этого процесса переход р-n-типа можно получить с помощью всего одного провода. После создания переходов приступают к созданию логических затворов на основе нескольких переходов р-n-типа.
Несомненно, полупроводящие и проводящие нанопровода будут иметь огромное значение для будущих компьютеров, поскольку задействуют многочисленные преимущества нанотехнологий.

Управление нанопроцессами

Необходимость создания сложной электроники и электрических компонентов на молекулярном уровне способствовала быстрому появлению и развитию новых наномасштабных методов управления нанопроцессами. На этом уровне огромное значение имеют точные измерения для определения состояния процесса. Кинетические и квантовые эффекты существенно меняют электрические и тепловые свойства материалов и устройств. И их нужно вовремя регистрировать, чтобы управлять процессом.
Проводящие наноструктуры могут применяться для наномасштабных измерений. Некоторые лаборатории уже активно используют движение отдельных электронов в качестве стандартных измерительных инструментов электрического тока и емкости. Кроме того, ученые успешно измеряют свойства атомарных проводов и других электромагнитных наноструктур.
Будущие наноструктуры, вероятно, будут использоваться в чрезвычайно широком спектре — от квантовых вычислений до сенсоров отдельных частиц и атомарных взаимодействий. Квантовые эффекты очень слабы с точки зрения макромасштаба, а потому для их измерения и управления требуются более точные инструменты.

Заключение

На жизни нынешнего молодого еще поколения произойдет переход от ныне существующих планарных структур к объемным наномикросхемам, размеры активных элементов уменьшатся до размеров молекул. Рабочие частоты компьютеров достигнут терагерцовых величин. Получат распространение схемные решения на нейроноподобных элементах (нейрочипах). Появится быстродействующая долговременная память на белковых молекулах, емкость которой будет измеряться сотнями терабайт. Станет возможным «переселение» человеческого интеллекта в компьютер. Прогнозируемый срок реализации: первая-вторая четверть XXI века.
Разработанные в последние годы наноэлектронные элементы по своей миниатюрности, быстродействию и потребляемой мощности составляют серьезную конкуренцию традиционным полупроводниковым транзисторам и интегральным микросхемам на их основе как главным элементам информационных систем.
Уже сегодня техника вплотную приблизилась к теоретической возможности запоминать и передавать 1 бит информации с помощью одного электрона, локализация которого в пространстве может быть задана одним атомом. Это позволяет уменьшить размеры одного транзисто-
ра приблизительно до 10 нм, а рабочие частоты увеличить до порядка 1012 Гц.
Но кто будет этим заниматься в России?

Популярная литература
1. Статья «Закон Мура» (англ.)//www.intel.com/technology/silicon/mooreslaw).
2. Российский электронный наножурнал//www.nanojournal.ru)
3. Информационно-аналитический портад по нанотехнологиям и наноматериалам ФГУП ВНИИНМ им. А.А. Бочвара//www.nanoportal.ru).
4. Журнал «Российские нанотехнологии»//www.nanorf.ru).
5. Балабанов В.И. Нанотехнологии. Наука будущего. — М.: Эксмо, 2008. — 256 с.
6. Кобаяси Н. Введение в нано­тех­но­логию/Н. Кобаяси; пер. с япон. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2005. — 134 с.
7. Уильямс Л., У. Адамс. Нанотехнологии без тайн; пер. с англ. Ю.Г. Гордиенко. — М.: Эксмо, 2009. — 368 с.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *