Компания International Rectifier начала поставки силовых GaN (gallium nitride) приборов, разработкой которых фирма занималась последние пять лет.
По заявлению компании, приборы, изготовленные по эпитаксиальной GaN-on-silicon технологии, лишены многих недостатков, присущих кремниевым силовым устройствам, потребляют меньше энергии, имеют более высокий кпд, позволяют значительно улучшить характеристики AC-DC и DC-DC преобразователей, используемых в системах управления двигателями, приборах освещения, мощный аудио приборах и автомобильных системах.
Приборы будут показаны на выставке Electronica 2008 (11-14 ноября 2008, Мюнхен, Германия) и доступны для ведущих OEM. Компания уже представила новую технологию на ряде мероприятий — Digital Power Forum ‘08 (15-17 сентября 2008, Сан-Франциско), Embedded Power Conference 2008 (17-18 сентября 2008, Сан-Хосе) и International Workshop on Power Supply (22-24 сентября 2008, Корк, Ирландия).