Начат выпуск трехбитовой вертикальной NAND-флеш памяти Samsung


Промышленное производство 128-Гбит 3D V-NAND TLC компания Samsung начала несколько дней назад. До конца августа должны появиться серийные накопители с использованием этой памяти.

На конференции SSD Global Summit, прошедшей в июле в Сеуле, представитель Samsung сообщил, что скоро будет налажено производство памяти 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой. Память типа 3D V-NAND – это структура с 32 слоями, которая отличается очень плотным размещением ячеек памяти. Сегодня кроме компании Samsung никто не может производить флеш-память NAND-типа по такой технологии. Благодаря записи в каждую ячейку 3 бит данных вместо одного или двух можно заметно увеличить плотность размещения информации.

По информации Samsung, память 3D V-NAND TLC отличается вдвое большей плотностью по сравнению с планарными чипами NAND-флеш и потребляет при этом на 40 % меньше электроэнергии. Также следует учесть, что память 3D V-NAND TLC производится с применением 45-нм техпроцесса, а планарная память типа NAND-флеш сегодня связана с освоением техпроцесса 15–16 нм. Несложно сделать вывод, что себестоимость 3D V-NAND TLC должна быть ниже (за счет применения старого оборудования), а устойчивость к износу более высокая.

Промышленное производство 128-Гбит 3D V-NAND TLC стартовало несколько дней назад. До конца августа должны появиться серийные накопители на этой памяти. В 2015 г. компания собирается приступить к производству 256-Гбит памяти 3D V-NAND, а в перспективе имеются планы по выпуску 100-слойного чипа емкостью 1 Тбит.

При этом Samsung ведет также работы по совершенствованию контроллеров SSD. Контроллеры следующего поколения будут «умными». Они должны уметь подстраиваться под различные вычислительные нагрузки, предугадывая ход операций по работе с сохраняемой информацией. Благодаря этому можно будет избежать провалов в ходе выполнения I/O-операций. Кроме того, и этого мнения придерживается не только Samsung, контроллеры SSD должны уметь исполнять приложения общего назначения. В результате контроллеры SSD, которые обычно простаивают большую часть времени, помогут разгрузить ЦП. Во всяком случае, это относится к системам хранения данных крупных ЦОД, ведь в тысячах и тысячах SSD может скрываться значительный вычислительный потенциал.

Читайте также:
Samsung выпустит память 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой
Samsung начала выпуск 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND
В Китае запущен новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти NAND
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *