Новый [[высокочастотный усилитель мощности]] от Freescale Semiconductor на LDMOS-транзисторе, выдающий мощность в импульсе 1 кВт при 130 МГц.
Компания Freescale Semiconductor представила MRF6VP11KH — высокочастотный усилитель мощности на LDMOS-транзисторе, выдающий мощность в импульсе 1 кВт при 130 МГц. Элемент работает от 50 В и предназначен для систем ЯМР-сканирования, CO2-лазеров, плазменных генераторов и аналогичных проектов. Транзистор, разработанный для работы от 10 до 150 МГц, базируется на шестом, так называемом VHV6-поколении (Very High Voltage) LDMOS-технологий (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) компании Freescale. MRF6VP11KH располагает интегрированной защитой от электростатических разрядов. Дополнительные устройства, предназначенные для работы в диапазоне 10…450 МГц и уже находящиеся в производстве, включают в себя MRF6V2010N (10 Вт, коэффициент усиления 24 дБ, КПД 62%), MRF6V2150N (150 Вт, коэффициент усиления 25 дБ, КПД 68%) и MRF6V2300N (300 Вт, коэффициент усиления 25,5 дБ, КПД 68%)
На данный момент предлагаются образцы MRF6VP11KH, а также базовое решение, предназначенное для поддержки. Запуск в массовое производство намечается на четвертый квартал 2007 года.