MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах


Компания Toshiba заявила о том, что созданный ею опытный образец памяти STT-MRAM сменит SRAM в кэш-памяти мобильных процессоров для смартфонов и планшетных ПК.

Память STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive random access memory – магниторезистивная RAM с передачей спинового вращательного момента), структуре которой был посвящен доклад на прошедшей на днях в Сан-Франциско конференции производителей электронных устройств IEDM 2012, имеет наименьшее энергопотребление и составляет около 1/10 потребления прежде испытанных образцов запоминающих устройств. Toshiba утверждает, что это первая MRAM, способная конкурировать со SRAM для кэш-памяти. Toshiba намеревается как можно скорее завершить разработку STT-MRAM.

Принцип работы усовершенствованной структуры памяти основан на записи с перпендикулярным намагничиванием. Такая память при малых токах обеспечивает возможность программирования данных и создания ячеек меньшего размера. Размеры элементов новой структуры стали меньше 30 нм. ИС памяти не имеет тока утечки в рабочем режиме и режиме ожидания.

Поперечное сечение элемента памяти с вертикальным намагничиванием STT-MRAM от Toshiba

Энергопотребление памяти STT-MRAM меньше, чем у эквивалентной SRAM. Моделирование, выполненное специалистами Toshiba , показало, что замена SRAM новой STT-MRAM в кэш-памяти стандартного процессора мобильного устройства приводит к сокращению энергопотребления на 2/3.

Работы по созданию памяти STT-MRAM финансировались японской организацией NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).

Читайте также:
20-нм планарный техпроцесс не подходит для мобильных приложений
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis
«Универсальная память» все еще на старте
Магниторезистивная память MRAM — быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *