Мощные p — канальные MOSFETы выполненные по TrenchFET® технологии с сопротивлением открытого канала 29 мОм


Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новую серию мощных p-канальных MOSFETов выполненных по технологии [[TrenchFET]]

В зависимости от типа корпуса, изделия имеют величину сопротивления открытого канала от 29 до 130 мОм. Данные приборы на 63% эффективнее того, что уже имеется на рынке. В новую серию вошли следующие изделия: Si1065X, Si1067X, Si1069X, Si1071X, Si1073X, Si1469DH, Si1471DH, Si1473DH, SiA413DJ, SiA421DJ.

 

Технические характеристики

 

Наименование

VDS (V)

VGS (V)

RDS(on) @ VGS =

Корпус

−10 V (Ω)

−4.5 V (Ω)

−2.5 V (Ω)

−1.8 V (Ω)

Si1065X

-12

±8

 

0.130

0.158

0.205

SC-89

Si1067X 

-20

±8

 

0.150

0.166

0.214

SC-89

Si1069X 

-20

±12

 

0.184

0.258

 

SC-89

Si1071X 

-30

±12

0.167

0.188

0.244

 

SC-89

Si1073X 

-30

±20

0.173

0.243

 

 

SC-89

Si1469DH 

-20

±12

0.080

0.100

0.155

 

SC-70

Si1471DH 

-30

±12

0.100

0.120

0.175

 

SC-70

Si1473DH 

-30

±20

0.100

0.145

 

 

SC-70

SiA413DJ 

-12

±8

 

0.029

0.034

0.044

PowerPAK SC-70

SiA421DJ 

-30

±20

0.035

0.056

 

 

PowerPAK SC-70

 

Области применения: переключатели нагрузки, устройства с батарейным питанием, портативные приборы, сотовые телефоны, плееры, цифровые камеры, любые приборы критичные к габаритам и высокому КПД.

 

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *