Мощные MOSFETы с пониженным термосопротивлением и малыми габаритами


Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство семь новых p-канальных MOSFETов Si5479DU, Si5481DU, Si5485DU, Si5857DU, Si5943DU, Si5947DU, Si5517DU в новом PowerPAK® ChipFET® [[корпусе]].

Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство семь новых p-канальных MOSFETов в новом PowerPAK® ChipFET® корпусе, что обеспечисает наилучшие температурные характеристики в габаритах 3х1,8 мм

 

Технические характеристики
— Максимальная рассеиваемая мощность — 3 Вт
— Напряжение пробоя — 12, 20 В
— Температурное сопротивление — менее 3 °C/Вт
— Максисимальное сопротивление в открытом состояниии — 0,021 Ом; 0,064 Ом

 

Таблица технических параметров для описываемых приборов

Part Number

VDS (V)

VGS (V)

rDS(on) @ VGS = 4.5V (Ω)

rDS(on) @ VGS = 2.5V (Ω)

rDS(on) @ VGS = 1.8V (Ω)

Configuration

Si5479DU

-12

8

0.021

0.028

0.039

Single

Si5481DU

-20

8

0.022

0.029

0.041

Single

Si5485DU

-20

12

0.025

0.042

 

Single

Si5857DU

-20

12

0.058

0.1

 

Single/

Schottky

Si5943DU

-12

8

0.064

0.089

0.12

Dual

Si5947DU

-20

12

0.058

0.1

 

Dual

Si5517DU

20

8

0.039

0.045

0.055

N and P

-20

8

0.072

0.100

0.131

 

Области применения: портативная техника, зарядные устройства, DC/DC схемы.

 

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *