Компания STMicroelectronics представила 250 А MOSFET-транзистор поверхностного монтажа с самым низким на рынке сопротивлением во включенном состоянии, что минимизирует потери преобразования энергии.
Новый транзистор, STV250N55F3, это первый мощный MOSFET-транзистор, сочетающий корпус PowerSO-10 компании ST с ленточным креплением, что обеспечивает получение очень низкого сопротивления корпуса без кристалла. Выполненный по технологическому процессу высокой плотности STripFET III компании ST, транзистор обеспечивает типовую величину сопротивления во включенном состоянии 1,5 мОм.
Другими преимуществами STripFET III являются низкие потери коммутации и высокая устойчивость к лавинному пробою. Подключение истока транзистора с помощью девяти выводов уменьшает сопротивление во включенном состоянии и дополнительно улучшает рассеивание тепла. Общая мощность рассеивания корпуса составляет 300 Вт при температуре 25°С. Высокая величина рабочего тока позволяет разработчикам отказаться от использования параллельно включенных транзисторов, экономя тем самым занимаемое на плате место и затраты на комплектующие.
Стандартная величина порогов управления так же упрощает схему драйвера для транзистора. STV250N55F3 предназначен для работы в приложениях с напряжением до 55 В. Способность работать при температуре до 175°С, делает возможным использование STV250N55F3 в такой аппаратуре с мощным электроприводом, как вилочные погрузчики, гольф-кары и транспортеры, а так же газонокосилки, инвалидные кресла и электромотоциклы. Надежность и устойчивость работы транзисторов гарантируется благодаря 100% тестированию на лавинный пробой как на этапе производства кристалла, так и уже готовой продукции. В дальнейшем, транзистор будет иметь допуск для использования в автомобильных системах.
В этом же семействе, компания ST предлагает 55 В транзистор STV200N55F3, который выпускается с подключением истока с помощью четырех выводов и обеспечивает величину тока стока в непрерывном режиме 200 А. В настоящее время доступны образцы STV250N55F3. Массовое производство транзистора запланировано на третий квартал 2008 года.