Мощные MOSFET с нормированным Rdson при напряжении на затворе 1.2 В


[[Первые в отрасли приборы]] с нормированным значением сопротивления во включенном состоянии (Rdson, on-resistance) при напряжении затвор-исток 1.2 В

Мощные MOSFET Siliconix TrenchFET® компании Vishay Intertechnology – первые в отрасли приборы с нормированным значением сопротивления во включенном состоянии (Rdson, on-resistance) при напряжении затвор-исток 1.2 В. Сопротивление Rdson n-канальных приборов при напряжении 1.2 В составляет 0.041 Ом, p-канальных — 0.095 Ом, при напряжении 1.5 В — 0.022 Ом (n-канальные) и 0.058 Ом (p-канальные).

По заявлению компании, новые TrenchFET транзисторы позволят упростить схемы управления питанием в мобильных устройствах, отказаться от схем преобразования при батарейном питании с напряжением шины ниже 1.8 В. Напряжение включения MOSFET от 1.2 до 1.3 В сопоставимо с рабочим напряжением цифровых интегральных схем, используемых в мобильных устройствах.

Компания предлагает следующие приборы — n-канальные SiA414DJ (PowerPAK® SC-70), Si8424DB (Micro Foot®) и SiB414DK (PowerPAK SC-75) и p-канальные SiA417DJ (PowerPAK SC-70), Si8429DB (Micro Foot) и SiB417DK (PowerPAK SC-75).

Имеются образцы транзисторов, Поставка промышленных партий производится в течение 8-10 недель после оформления заказа.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *