Представители компании Micron на пресс-конференции рассказали, что компания собирается начать выпуск 16-нм NAND-флеш TLC-памяти в IV кв. 2014 г.
Компания Micron Technology сообщила летом 2013 г. о своих планах начать производство первой в индустрии 16-нм флеш-памяти типа NAND MLC в IV кв. 2014 г. Существует мнение, что порог в 16 нм (либо 15 нм) окажется тем барьером, после которого дальнейшее снижение техпроцесса применительно к производству флеш-памяти окажется нецелесообразным экономически. Но это не значит, что электронная отрасль окажется в тупике. Вместо дальнейшего уменьшения «горизонтального» техпроцесса производители собираются переходить к 3D-структурам. Однако все это – лишь возможный вариант развития технологий в ближайшем будущем.
 |
Что же происходит в настоящем? Представители компании Micron на последней пресс-конференции заявили, что компания намерена начать выпуск 16-нм NAND-флеш TLC-памяти с возможностью записи по три бита данных в каждую ячейку. Произойдет это в IV кв. текущего года. Можно сказать, что это будет наиболее плотная «горизонтальная» флеш-память в индустрии.
Стоит заметить, что на основе таких микросхем в первое время будут производиться только карты памяти. Рассчитывать на появление SSD-накопителей с использованием 16-нм NAND-флеш TLC потребители могут не ранее середины 2015 г.
Читайте также:
Sony и Micron Technology представили быструю память ReRAM плотностью 16 Гбит
Micron вдвое увеличит скорость работы памяти HMC
История о том, как Micron осваивает новую DRAM-память
Micron к 2014 году готовит революцию в технологии традиционной DRAM
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Micron и Samsung пытаются создать спецификацию для гибридной памяти
Toshiba и Canon планируют наладить коммерческий выпуск 15-нм NAND-флеш памяти
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
Источник: Xtreview.com