Micron первой в мире начала производство «фазовой» памяти

Компания Micron Technology заявила о начале серийного выпуска первой в мире 45-нм памяти с фазовым переходом (PCM) для мобильных устройств.

Новые устройства памяти от Micron будут оснащены 1-Гбит PCM-памятью и 512-Мбит памятью LPDDR2 в многокристальном корпусе.

До сих пор плотность записи PCM-памяти не позволяла выпускать кристаллы, емкость которых превышала бы нескольких сотен Мбит. В результате область ее применения ограничивалась промышленной и автомобильной электроникой. В последние годы памяти с изменяемым фазовым состоянием прочат роль энергонезависимого кэша для твердотельных накопителей данных. Компания Micron нашла PCM-памяти другое назначение, объединив два типа памяти общим интерфейсом. PCM-память обеспечивает меньшее время загрузки, позволяет упростить разработку программного обеспечения и улучшить характеристики перезаписи. Кроме того, общий интерфейс между LPDDR2 и PCM полностью совместим с промышленными стандартами JEDEC.

Из заявления Micron следует, что 45-нм PCM-решение предназначено для использования в мобильных телефонах, а в дальнейшем – в смартфонах и мультимедийных планшетах. Micron также сообщила, что ее новые кристаллы прошли квалификационные тесты в подразделении Intel по разработке платформ для смартфонов. Micron рассчитывает, что эти комбинированные кристаллы выберут и другие игроки рынка. Таким образом, памяти NAND-типа грозит постепенное вытеснение с рынка.

Напомним, что запись в ячейку PCM-памяти похожа на запись перезаписываемого оптического диска, когда вещество носителя информации меняет свое состояние из аморфного в кристаллическое и обратно. По сравнению с флэш-памятью NAND память с изменяемым фазовым состоянием не требует операции стирания, что ускоряет ее работу вплоть до скоростей работы DRAM-памяти. Кроме того, PCM-память на порядок превосходит NAND по износоустойчивости, выдерживая до 1 млн циклов перезаписи.

Однако на пути реализации PCM-технологии существует ряд препятствий. Некоторые противники применения этого типа памяти считают, что она никогда не станет оптимальной по соотношению «цена-качество». Одним из ее недостатков является температурная чувствительность.

По словам Филиппа Берже (Philippe Berge), старшего руководителя отдела Wireless Solutions Group компании Micron, технология энергонезависимой памяти за последние 20 лет носила эволюционный характер, тогда как память с фазовым переходом – поистине революционная технология, и в ближайшее время эту разницу поймут все потребители.

В отдельном заявлении компании Micron сообщается о появлении на рынке твердотельных накопителей серии Crucial m4 mSATA емкостью 32–256 Гбайт по рекомендуемой розничной цене 53 долл. Скорость записи твердотельного диска Crucial m4 mSATA достигает 500 Мбайт/с. Эти устройства оснащены функциями кэширования Intel Smart Response и Dataplex от NVELO.

Источники: Micron, EE Times, DigiTimes

Оставьте отзывОтмена