Micron начала подготавливать строительство цехов для выпуска 3D NAND


По освоению производства 3D NAND компания Samsung находится минимум на два года впереди остальных конкурентов, поэтому Micron надо начинать догонять её с массового производства без долгой раскачки.

В ноябре прошлого года компания Intel сообщила, что она начнёт выходить на рынок флэш-памяти типа 3D NAND с 32-слойными микросхемами ёмкостью 256 Гбит. Это вдвое больше, чем может предоставить компания Samsung в виде 32-слойных 128-Гбит микросхем 3D V-NAND TLC. Но весь фокус в том, что компания Samsung выпускает 3D V-NAND более полутора лет, тогда как Intel (с помощью заводов Micron и одного совместного предприятия) приступит к выпуску 3D NAND то ли в первом квартале 2015 года, то ли в третьем квартале. Но в чём можно не сомневаться, в выпуск 3D NAND вложится, преимущественно, компания Micron.

Компания Micron тоже знает, как выпускать многослойную флэш-память

На днях компания Micron провела церемонию начала расширения одного из сингапурских заводов по выпуску флэш-памяти. Полноценное финансирование и, по-видимому, строительство, обещает начаться в сентябре 2015 года. С осени 2016 года по весну или лето 2017 года новые линии обещают встать в строй. Это будет производство «вертикальной» флэш-памяти 3D NAND. Под эти нужды Micron построит новые цеха с общей площадью пола 23,6 тысяч кв. метров. В следующем финансовом году на строительство и закупку производственного оборудования будет потрачено около 4 млрд. долларов США. По освоению производства 3D NAND компания Samsung находится минимум на два года впереди остальных конкурентов, поэтому Micron надо начинать догонять её с массового производства без долгой раскачки.

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *