Micron к 2014 году готовит революцию в технологии традиционной DRAM

Micron Technology планирует выпуск гибридных DIMM, объединяющих флеш-память и DRAM на модулях с шиной DDR4.

Поставщик микросхем памяти Micron Technology планирует размещать NAND флеш-память вместе с DRAM на модулях памяти с шиной DDR4, примерно через 18 месяцев. В компании полагают, что Microsoft Windows будет поддерживать так называемый Hybrid DIMM модуль, который позволит вместить более 256 Гбайт памяти.

Этот шаг продвигает флэш-память на новую позицию в иерархии компьютерной памяти, выше сегодняшних твердотельных накопителей, которые работают на шине PCI Express. Hybrid DIMM будет дороже чем SSD, но вероятно, предложит более высокую производительность с временем доступа к памяти, измеряемым скорее в нано-, чем микросекундах.

OEM-производители и конечные пользователи уже предлагали Micron Technology свои приложения для гибридных DIMM, в том числе, с базами данных в памяти и многое другое. В Micron Technology (Бойсе, штат Айдахо, США) полагают, что модули будут использоваться как более быстрые SSD с большим DRAM кэшем, как DRAM-модули с флеш-памятью в качестве своп-раздела или как блочный флэш-накопитель с вспомогательной DRAM-памятью.

Гибридные DIMM используют специальный контроллер в качестве основного интерфейса к процессору. Также они имеют отдельный контроллер для флеш.

Поддержка в Windows – это ключ к развитию гибридных DIMM. Пока что Microsoft не комментировала публично свои планы, но за последние шесть месяцев провела множество переговоров относительно этой технологии с Micron Technology.

«Я постоянно читаю то, что они подписывают – они продолжают договариваться о новых встречах», – сказал Райан Бакстер (Ryan Baxter), старший менеджер по развитию бизнеса Micron Technology, который вел презентацию на конференции в LinleyDataCenter.

Micron Technology работает самостоятельно над возможностью использования гибридных DIMM под Linux. Она намеревается выпустить это программное обеспечение для DDR4-продуктов своевременно.

По слухам, Samsung тоже проявил интерес к технологии. Ни Samsung, ни Microsoft не ответили на расспросы прессы.

По отдельности, Micron Technology и партнер Gigatech Products уже испытывают так называемые энергонезависимые DIMM. Они используют флеш-память и ультраконденсатор для резервирования данных DRAM в случае пропадания питания. Говорят, что Netlist Inc (Ирвин, штат Калифорния, США) буде поставлять подобные продукты.

В длительной перспективе Micron Technology планирует выпуск версий своей многослойной гибридной памяти (Hybrid Memory Cube, HMC) – 3-D стека логики и памяти, пригодных для интеграции в партнерских ASIC и ПЛИС. «Они получат доступ к технологии интерфейса,… которой так интересуются разработчики однокристальных систем (SoC)», – сказал Бакстер.

Существующая модель HMC использует интерфейс с 16 SerDes (последовательно-параллельными преобразователями), работающими на скорости 10 Гбит/с каждый, с возможностью переключения на 15 Гбит/с. Устройство получит полосу пропускания 300 Гбайт/с примерно в 2016 г.

На слайде показана концепция гибридного DIMM

На следующих страницах Micron Technology демонстрирует свои передовые идеи замены DRAM, а также, пробел в иерархии памяти, который заполняют эти продукты, и энергонезависимые DIMM, тестируемые сегодня.

Гибридные DIMM в пост-DRAM мире

Micron Technology готовит ко внедрению несколько идей будущих гибридных DIMM с памятью класса накопителей (SCM). Источник: EE Times

На рисунке: SCM и контроллер SCM, объединенные по требованиям приложения.

Позволяет быстрее выйти на рынок новым технологиям.
Потенциально требует программной поддержки для получения всех возможностей.

Гибридные DIMMs обогнали SSD

Гибридные DIMM заполняют пробел между кэшем на кристалле и твердотельными накопителями с PCI Express, заявляет Micron Technology.

Энергонезависимые DIMM уже в наличии

Micron Technology, Gigatech и Netlist – все заявили о поставках энергонезависимых DIMM, использующих флеш и ультраконденсаторы.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена