https://lauftex.ru/product/lf-21060-lcw-tsifrovoy-signalnyy-protsessor
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=LjN8KNmg2

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития

Мировой рынок широкозонных полупроводников (ШЗП) демонстрирует высокие темпы роста и перспективы. В ближайшие годы карбид кремния и нитрид галлия как представители ШЗП начнут конкурировать между собой за применение в автомобильном секторе и центрах обработки данных (ЦОД), став основными катализаторами роста рынка для нитрида галлия. Китай интенсивно осваивает и развивает этот рынок, создает жесткую ценовую конкуренцию не только по продукции на основе ШЗП, но и в сферах их применения, в том числе в электромобилях. Резкое снижение мировых цен китайскими компаниями приводит к банкротству компании Wolfspeed – мирового лидера производства SiC-изделий, уходу компании TSMC с рынка контрактного GaN-фаундри-бизнеса, а Renesas – к отказу от развития SiC-технологии.

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта. Часть 8. Автоматизированный визуальный контроль качества изделий микроэлектроники с использованием метода гомографии

В ЭК №№2–7 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, и рассмотрены методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения, описано обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, проведены исследования поиска дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов, эффективность которого подтверждена экспериментальными исследованиями. В этой части статьи описан поиск дефектов с помощью метода гомографии. Эксперименты подтвердили его высокую точность и эффективность в обнаружении дефектов на корпусах интегральных микросхем.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 1. Мировой рынок меняется, создает опасные тенденции и растет, но не для всех

В последние годы происходит трансформация мирового полупроводникового рынка и его неравномерное развитие по сегментам продукции и регионам. Основная прибыль достается 5% крупнейших компаний, а бурное развитие искусственного интеллекта (ИИ) усугубляет эту тенденцию. Однако бум ИИ таит в себе риск лопающегося пузыря из-за текущей переоцененности ИИ и возможных негативных последствий, что может привести к падению мирового рынка и массовым банкротствам. Крупные IDM-компании Intel, Samsung, обладающие сложным и дорогим производством чипов, испытывают нехватку больших контрактных заказов и находятся в кризисе. Тарифная война Дональда Трампа усугубляет ситуацию и добавляет ощущение приближающегося глубокого кризиса.

Китай первым в мире освоит бездефектное производство чипов

Китайские исследователи провели уникальный анализ причин появления дефектов в производстве чипов на 300-мм кремниевых пластинах. Они буквально заморозили момент на одном из ключевых этапов, что дало возможность оптимизировать последующие операции и достичь 99-процентного сокращения дефектов при производстве микросхем. Такого в индустрии ещё не было и это путь к заметной экономии при выпуске полупроводников.

Давным-давно уровень брака при серийном ...

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта Часть 7. Новая технология поиска дефектов на основе многоракурсной структуры

Автоматизированное обнаружение дефектов является важнейшей составляющей контроля качества изделий микроэлектроники. При проведении инспекции особенно сложно идентифицировать дефекты малого размера и дефекты, сливающиеся с фоном поверхности изделий. По этим причинам в статье исследуются и анализируются результаты эффективного многоракурсного подхода машинного обучения (далее МО) для повышения точности обнаружения дефектов путем внедрения и сравнения ранних и поздних методологий слияния.