MeRAM: компьютерная память может быть холодной

Этот тип называется магниторезистивной памятью с произвольным доступом или MRAM.

Свою новую разработку команда назвала MeRAM. Она имеет большой потенциал для использования почти во всех электронных устройствах — смартфонах, планшетах, компьютерах, микропроцессорах. Можно использовать ее и для хранения данных.

Ключевым преимуществом MeRAM по сравнению с другими технологиями является сочетание низкого энергопотребления, высокой скорости чтения и записи и энергонезависимость — способность сохранять данные при внезапном отключении питания.

В настоящее время магнитная память изготавливается на основе технологии с использованием спина электронов, а не только их зарядов. Эта технология (SST) использует электрический ток для записи данных в память. Она превосходит по многим характеристикам другие технологии, однако требует определенного — и немалого — количества энергии и, соответственно, вырабатывает тепло при записи. Кроме того, объемы такой памяти ограничены токами, необходимыми для записи информации на единицу площади.

В случае MeRAM ученые заменили ток, играющий ключевую роль в SST, напряжением. Это исключает необходимость передачи огромного количества электронов по проводам, а вместо этого использует разность электрических потенциалов для переключения магнитных битов и записи информации. В результате компьютер генерирует гораздо меньше тепла, что делает его до 1000 раз более энергоэффективным. И сама память может быть в 5 раз плотнее — в той же самой физической области хранится больше информации, что снижает стоимость передачи бита.

«Возможность переключения наноразмерных магнитов с использованием напряжения является важным и быстрорастущим направлением исследований в области магнетизма, — сказал ученый-электротехник Педрам Халили, руководитель проекта UCLA. — Эта работа — новый взгляд на такие вопросы, как управление переключением импульсов напряжения. А также на то, как устройства будут работать без необходимости внешнего магнитного поля и как интегрировать их в массивы памяти высокой плотности».

Читайте также:
Магниторезистивная память MRAM — быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
«Роснано» вкладывает средства в американского производителя памяти MRAM
Toshiba и Hynix сотрудничают в разработке MRAM
Freescale создала независимую компанию по разработке MRAM
Samsung приобретает Grandis – разработчика MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
«Универсальная память» все еще на старте

Источник: CNews

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Rambler's Top100