https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения

Для создания полупроводников нового поколения и электронных устройств с низким энергопотреблением необходимо точно укладывать друг на друга материалы с разными функциями. В этом процессе важно сохранить внутренние свойства каждого материала, а также границу раздела между двумя материалами без повреждений. Слоистые ван-дер-ваальсовы материалы, в том числе дихалькогениды переходных металлов (ДПМ), привлекают большое внимание как полупроводниковые платформы следующего поколения, поскольку их слои взаимодействуют за счет слабых сил, что позволяет создавать многослойные структуры из различных материалов, сохраняя атомарную чистоту границ.