2W5zFJYkpKA
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Ламинаты и бессвинцовая пайка

Печатные платы с определенными конструктивными особенностями, изготовленные на основе практически любых ламинатов, предлагаемых на рынке в качестве совместимых с процессом бессвинцовой пайки, имеют предрасположенность к образованию трещин в структуре при воздействии присущих этому процессу высоких температур. Такие трещины, увеличивающие вероятность возникновения разрывов и коротких замыканий, образуются внутри слоя смолы и/или на границе раздела стеклоткани и препрега. Проблемы, связанные с увеличивающейся частотой возникновения трещин, и воздействие, которое они оказывают на надежность устройства в целом, требуют самого пристального внимания. К направленным на это мерам можно отнести разработку и применение более совершенных методов обнаружения трещин и прогнозирующих тестов.

Дискретные силовые полупроводниковые приборы. Расширение производства и специализация

Бурно развивающаяся информационная технология нуждается во всё более надёжных, эффективных и дешёвых силовых электронных устройствах. Перед современной технологией мощных дискретных полупроводниковых приборов стоят задачи снижения сопротивления в открытом состоянии, уменьшения размеров; введения дополнительных средств защиты от воздействия высоких напряжений и температур, электростатического разряда и т.п. И хотя доля силовых полупроводниковых приборов составляет лишь 10%, степень освоения новых перспективных технологий велика. Это глубокое травление для формирования структур мощных транзисторов на основе суперпереходов, использование подложек кремния на изоляторе(КНИ), а также широкозонных материалов (карбида кремния, нитрида галлия) или сверхтонких кремниевых подложек для создания мощных приборов с требуемыми параметрами

Отечественная силовая электроника. Фирмы-производители

Силовая электроника – одна из бурно развивающихся областей электроники в XXI веке. Наиболее перспективным направлением являются интеллектуальные силовые компоненты: интегрированные силовые микросхемы, ключи и модули. Это направление стремительно развивается благодаря успехам в совершенствовании технологии изготовления и значительному улучшению параметров мощных полевых транзисторов (MOSFET), биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), силовых драйверов более высокой степени интеграции. Интеграция схем управления (драйверов, контроллеров) в силовые ключи и затем в исполнительные устройства и механизмы стала и необходимым, и оправданным шагом. В настоящее время, а тем более в будущем, интеллектуальным силовым компонентам в силовой электронике альтернативы не предвидится