Бурно развивающаяся информационная технология нуждается во всё более надёжных, эффективных и дешёвых силовых электронных устройствах. Перед современной технологией мощных дискретных полупроводниковых приборов стоят задачи снижения сопротивления в открытом состоянии, уменьшения размеров; введения дополнительных средств защиты от воздействия высоких напряжений и температур, электростатического разряда и т.п. И хотя доля силовых полупроводниковых приборов составляет лишь 10%, степень освоения новых перспективных технологий велика. Это глубокое травление для формирования структур мощных транзисторов на основе суперпереходов, использование подложек кремния на изоляторе(КНИ), а также широкозонных материалов (карбида кремния, нитрида галлия) или сверхтонких кремниевых подложек для создания мощных приборов с требуемыми параметрами