После 7 лет обнадеживающей научно-исследовательской работы по созданию MRAM компания MagSil, наконец, сообщила о некоторых деталях создания этой технологии.
 |
Корпорация MagSil разрабатывает архитектуру ячеек MRAM (MRAM – Magnetoresistive Random-Access Memory – магниторезистивная оперативная память). Структура этого запоминающего устройства основана на использовании схемы магнитного туннельного перехода. Разработка энергонезависимой памяти MRAM ведется с 1990 гг., при этом многие заявления о ее создании оказались фальшивыми. Это труднореализуемая и плохо масштабируемая технология.
По сообщениям прессы, технология этой компании базируется на патенте Массачусетского технологического института (МТИ), исключительное право на использование которого принадлежит MagSil. Корпорация MagSil и МТИ предъявили иски к другим компаниям, связанные с нарушениями патентного права.
В 2006 и 2007 гг. MagSil создала 1-Мбит MRAM. В настоящее время MagSil разрабатывает устройства на базе технологий 130- и 90-нм с размером ячейки 10F2. По словам Криша Мани (Krish Mani), основателя и главного технического директора MagSil, компания «очень скоро» разработает автономное MRAM-устройство. Точная дата не была уточнена. Со временем MagSil планирует создать 64-Мбит устройство.
Усилия MagSil сосредоточены на создании высокоскоростного устройства. Мани рассчитывает на то, что в ближайшее время исследователям все-таки удастся заменить SRAM-память, за которой последует встраиваемая RAM.
Недавно MagSil и МТИ подписали внесудебное соглашение с корпорацией Western Digital, в соответствии с которым эта корпорация и ее дочерние компании получили лицензию на патент, иск по которому рассматривается в суде.
До сих пор не закончилась тяжба в федеральном суде Делавара против компаний Hitachi Global Storage Technologies, Hitachi Data Systems, Hitachi America и Shenzen ExcelStor Technology. Ответчики, которые производят и продают жесткие диски, а также их компоненты, используя туннельную магниторезистивную технологию, обвиняются в нарушении права патентовладельца – МТИ.
Помимо Western Digital, к настоящему моменту MagSil достигла внесудебного соглашения с компаниями Seagate Technologies, SAE Magnetics and Headway Technologies.
Несколько компаний предприняло неудачные попытки коммерциализировать MRAM. Другие, в т.ч. Crocus Technology, Grandis, IBM-TDK, Samsung, Toshiba и Avalanche Technology, намереваются стать участниками рынка MRAM. Некоторое время Everspin (компания, отпочковавшаяся от Freescale Semiconductor) продавала запоминающие MRAM-устройства для замены SRAM.
Источник: EETimes.com