Несмотря на большие инвестиции в ASML от Intel, TSMC и Samsung, разработчик EUV все еще не может гарантировать выполнение запланированного графика. Вдобавок к проблемам с источником излучения, EUV столкнулась с дюжиной других задач, включая вероятность внутренних дефектов масок и отсутствие методов их обнаружения.
Восприятие литографии жесткого ультрафиолета (EUV) всегда было несколько радужным в той части мира, где она родилась. Поэтому неудивительно, что EUV заняла довольно сильные позиции в достаточно подробном и сбалансированном перспективном плане исследовательского института IMEC (Межуниверситетский центр микроэлектроники в Бельгии), представленном на ежегодной пресс-конференции.
Создание новейшего источника излучения для EUV — MOPA (Master Oscillator Power Amplifier — мастер-генератор с усилителем мощности) — поставило на более надежную основу наиболее слабый компонент долгожданной системы литографии. Теперь ученые надеются показать 80-ваттный источник в работающей системе к концу года, 125-ваттную версию в следующем году и 250-ваттную версию, способную обеспечить коммерческую производительность в 125 пластин в час — к концу 2015 г.
С такими темпами производители ИС вынуждены полагаться на предыдущее поколение иммерсионной литографии для первых вариантов 10-нм техпроцесса. Однако они смогут одновременно внедрить пилотную линию литографии жесткого ультрафиолета, срезая дистанцию как минимум на несколько критических шагов.
 |
«Я не буду удивлена, если они подойдут к 9-нм техпроцессу, используя EUV», — сказала Эн Стиген (An Steegen), руководитель подразделения IMEC, отвечающего за исследования технологических процессов.
Иммерсионные системы могут потребовать 22 маски на 10-нм техпроцессе, по сравнению с 10 на 28-нм техпроцессе, используя при этом в некоторых слоях дорогостоящее трехкратное экспонирование и двукратное экспонирование в остальных слоях. По оценкам ученых, литография жесткого ультрафиолета может снизить это количество до 10 масок на 10-нм техпроцессе.
Несмотря на большие инвестиции в ASML от Intel, TSMC и Samsung, разработчик EUV все еще не может гарантировать выполнение запланированного графика. Вдобавок к проблемам с источником излучения, литография жесткого ультрафиолета столкнулась с дюжиной других задач, включая вероятность внутренних дефектов масок и отсутствие методов их обнаружения.
Стиген заявила, что EUV ожидают дополнительные задержки. «Я вижу множество проблемных пунктов, из-за которых EUV может сбиться с графика и на 10-нм, и на 7-нм техпроцессах, а техпроцесс живет в производстве 6-10 лет», — заявила Стиген.
В противоположность своему оптимистичному взгляду на литографию жесткого ультрафиолета, Стиген раскритиковала технологию полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI), продвигаемую STMicroelectronics, в качестве альтернативы FinFET-транзисторам.
Хотя сейчас IMEC поддерживает работу над FD-SOI на 14-нм техпроцессе, он удалит технологию FD-SOI из своего перспективного плана на других техпроцессах. «Я не вижу в ней никакой необходимости», — заявила Стиген.
«FD-SOI предлагает меньшее быстродействие, чем FinFET, и имеет вероятность большего энергопотребления из-за использования прямого смещения. К тому же, ее довольно тонкая подложка создает проблемы в производстве», — сказала Стиген.
Читайте также:
IMEC и Micron расширяют совместную разработку до технорм менее 10 нм
ASML получила новые заказы на оборудование EUV и планирует расширять мощности
FD-SOI привлекла внимание ARM
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
Борьба за 450-мм пластины и литографию жесткого ультрафиолета обещает быть долгой
Технорма 14 нм принесла множество конструкторских проблем
Конференция ISSCC: литография жесткого ультрафиолета — лучший выбор для техпроцесса 10 нм и ниже
Ван ден Хов заявил, что литография глубокого ультрафиолета не готова к 14 нм
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
Источник: EE Times Europe